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MOS管中VGS的作用

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发表于 2022-1-19 10:00 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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在NMOS增强型管子中,VGS大到一定程度,就会把P衬底中的电子吸引上来,形成导电沟道,从而使管子导通.可是既然是吸引P衬底中的电子,应该是VGB才对啊,为什么是VGS?连到S极的作用何在?
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2#
发表于 2022-1-19 11:03 | 只看该作者
对于NMOS,bulk衬底端B跟S通常都连接到一起接地。这是为了防止BS之间的二极管正向导通。另外你说的也没错,阈值电压VT的确受SB间的电压影响,V_SB越高,VT越大。模拟电路设计中要注意的问题之一就是源极S电压对阈值的影响。
- O4 w% o) L" J* x, X  o

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3#
发表于 2022-1-19 11:25 | 只看该作者
电子通道是建立在D跟S之间的。Ids和Vgs之间存在二次平方关系。B端电压至少对Vt有影响而已。如果电流通过衬底流到B端,那就是漏电了,这个是要尽量避免的。4 a) |' X, S1 s

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发表于 2022-1-19 14:31 | 只看该作者
mos管的vgs一般不常采用负电压关断,但是如果采用负电压,可以增加关断可靠性,还可以提高vds的耐压承受力。4 R. |6 |% M4 v/ H

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5#
发表于 2022-1-21 15:38 | 只看该作者
因为 B和S是连接在一起的,所以VGS 你也可以看做是VGB
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