MOS管中VGS的作用

MrL1

在NMOS增强型管子中,VGS大到一定程度,就会把P衬底中的电子吸引上来,形成导电沟道,从而使管子导通.可是既然是吸引P衬底中的电子,应该是VGB才对啊,为什么是VGS?连到S极的作用何在?
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land

对于NMOS，bulk衬底端B跟S通常都连接到一起接地。这是为了防止BS之间的二极管正向导通。另外你说的也没错，阈值电压VT的确受SB间的电压影响，V_SB越高，VT越大。模拟电路设计中要注意的问题之一就是源极S电压对阈值的影响。

ESCAPE

电子通道是建立在D跟S之间的。Ids和Vgs之间存在二次平方关系。B端电压至少对Vt有影响而已。如果电流通过衬底流到B端，那就是漏电了，这个是要尽量避免的。
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mqerew

mos管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高vds的耐压承受力。
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电子小牛仔

因为 B和S是连接在一起的，所以VGS 你也可以看做是VGB