TA的每日心情 | 郁闷 2023-8-16 15:55 |
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本帖最后由 liugm668 于 2022-1-13 16:53 编辑 5 A! d D# h: `# ]- S
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1,我是这样理解的:mos管的开启电压,假设是5V,源极电压有12v,这样是不是不需要加栅极电压就可以导通了?而把栅极电压提高到8V,又关闭了?8 g& C; m+ l. h/ x5 y
>>:MOS分为PMOS和NMOS,打开关闭的条件是Vgs的电压。除非VDS耐压30V你加一个40V那就是击穿不是正常导通。
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2,Vdss,Id是不是SD间的最大耐受电压和电流呢?
: c8 s4 \5 D, a1 L>>:MOS管手册里面都有参数的详细介绍。连续电流、脉冲电流等等
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3,Vgs是mos的开启电压吗?好像一般都是20V。我想应用在单片机,用单片机控制栅极驱动12V80ma的LED,那么这个20V是不是太大不大合适,有没有合适的型号呢?或者说选用大点的话发热量小些?5 Z9 C% B. s; A
9 J- _3 }% `8 C0 N& F, t( Q>>: VGS负责开启,你说的20V那是最大耐压值,超过20V就烧掉了啊。5 h" w. W) d: Z- ?& I9 g% I
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4,我看到Vgs前面有正负号,这个是开启电压是正负电压都可以开启的意思还是,浮动的含义?
s- h) z# T3 G' \4 a/ o5 A# j>>: 这个VGS的最大耐压能力。
8 R4 Y! o4 w4 U, a# k* s h5,关于导通电阻,就是SD之间的电阻是吗?
4 Z0 [+ K. k' [>>:导通状态下的VDS电阻。0 _# S' D& q$ D) x6 X
6,现有一12V80ma的LED,需要通过单片机TTL5V电平通过MOS管驱动点亮,关于MOS大致选择什么参数合适?
( B; h# u8 L: {8 h) m>>:VDS耐压20V以上,一般都能满足。Ids大于80mA看你的降额需求,VGS耐压大于8V,一般的MOSFET也能满足要求。
- L; D7 N' V2 E$ U0 R+ g3 x0 e7,根据上面,另外电路中的电阻该如何考虑?比如限流电阻,电源的选用呢?! A: n7 M$ e" R1 f, F+ I7 D9 x, x( C+ ?
>>:要看LED的参数LED随着电流变化流明会不一样。假如你的LED是80mA压降2V,那大概就是限流电阻120欧姆1瓦的电阻。 |
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