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MOS管在没有接负载的情况下烧了,请问是什么原因?

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  • TA的每日心情

    2019-11-19 15:55
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2021-12-24 10:22 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    大家帮我看一下这个电路; _. X4 H  Z5 w; d0 N- Q1 W$ g
    AO3415的VGS是±8V的话,这个电路是不是会烧?
    0 v2 C" m1 b1 |: z本来想实现的功能是,使能为高时有12Vout输出,低时无输出。, i. o! |$ ]* e
    沿用的之前的设计,每太在意,今天发现一个AO3415在这个输出没有接负载的情况下烧了,查手册看VGS是±8V。是这个原因导致的吗?$ M# d, b" Y' I" e% [5 V
    怎么修改一下呢
    ( T- h4 `4 \- V, k & K6 F8 j" j( c7 K

    7 y% Y. t2 C* d1 a' D
  • TA的每日心情
    开心
    2022-12-27 15:07
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2021-12-24 11:04 | 只看该作者
    应该是这个Vgs超限的问题。如果不能把Q1换成Vgs范围更高的其他PMOS的话,那就要改板了,在Q2的D极处增加一个串联电阻,与R1分压再控制Q1的G极,这样Vgs就不是-12V了

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2021-12-24 11:04 | 只看该作者
    Q1的D级串一个100K的电阻

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2021-12-24 11:05 | 只看该作者
    Q2的D级吧,Q1的G级,分压

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2021-12-24 11:05 | 只看该作者
    驱动电压得按照规格书来设计。Q2的漏极串联一个电阻分压吧。我之前用的电阻分压,还在GS并联一个稳压管进行保护。

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2021-12-24 11:05 | 只看该作者
    VGS的电压已经超出规格要求了,凡是超出规格书要求的,都有风险存在。建议:
    / `( ]9 `4 S% B- _# z" p$ F4 b+ g1.加电阻分压到8V以内。
    - P" S7 i1 Z2 a/ q! \0 E2.换VGS电压大点的MOS管。

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2021-12-24 15:18 | 只看该作者
    G端做电阻分压吧。

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2021-12-27 10:45 | 只看该作者
    Q1的G不要直接Q2,用100K级电阻与R1分压,使Q1的Vgs压差超过3.5v就可以导通,12V不要直接干,5V以下倒是问题不大
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