MOS管的夹断区和饱和区的区别

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1、Uds（漏源电压）和Id（漏极电流）的关系不同：
夹断区的Uds增大到一定数值，Id急剧增大；当Uds增大到出现预夹断后，Id几乎不随Uds增大而增大。
" F1 W9 B4 q. x3 Y( Y+ P- x" t9 |8 A2、Id的取值不同：
夹断区，当导电沟道完全被夹断时，Id≈0；饱和区Id的数值取决于Ugs（栅源电压）的大小。
, ?8 D5 D4 Y1 z  P& ]# H, Y* K; n3、场效应管的状态不同：
$ m0 y. Z% U. {  U8 I( {  U夹断区也称为截止区，此时MOS（场效应管）管为截止状态；饱和区也称为放大区，MOS管用作放大元件时，都工作在这一区。
' v7 w/ b: Q5 Y: R3 ~( @6 R& u场效应晶体管简称场效应管。分为两种类型：结型场效应管和金属 - 氧化物半导体场效应管简称MOS管）。
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夹断区的Uds增大到一定数值，Id急剧增大；当Uds增大到出现预夹断后，Id几乎不随Uds增大而增大

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夹断区，当导电沟道完全被夹断时，Id≈0；饱和区Id的数值取决于Ugs（栅源电压）的大小

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场效应晶体管简称场效应管。分为两种类型：结型场效应管和金属 - 氧化物半导体场效应管简称MOS管）。