增强型和耗尽型MOS管内部结构的区别

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一个平时截至，加电压导通，一个平时导通，加电压趋向截至顾名思义，就是漏极电流是随栅源极电压“增强”还是“耗尽”
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增强型与耗尽型不同的是阈值。增强型──阈值是正的。未加任何电压（VGS=0）时没有形成沟道，随着VGS上升（N管），沟道慢慢形成。
- V, B8 b" {. m* I  |耗尽型──阈值是负的。未加任何电压（VGS=0）时已经有沟道，要想它截止，必须加一个负的VGS（N管）使沟道耗尽。
# H5 ?* x& v5 }/ J增强型与耗尽型ID-VGS曲线是向同一个方向的，也就是说（N管），ID都是随VGS增加而增加（不是指绝对值）。这与N管和P管的区别不同，虽然P管的阈值也是负的，但它的ID-VGS曲线也倒了个方向。

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增强型与耗尽型不同的是阈值

Cyberbot6

一个平时截至，加电压导通，一个平时导通，加电压趋向截至顾名思义，就是漏极电流是随栅源极电压“增强”还是“耗尽”

land

增强型与耗尽型不同的是阈值
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Blah

增强型与耗尽型ID-VGS曲线是向同一个方向的，也就是说（N管），ID都是随VGS增加而增加（不是指绝对值）。这与N管和P管的区别不同，虽然P管的阈值也是负的，但它的ID-VGS曲线也倒了个方向
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showmaker

增强型与耗尽型不同的是阈值