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1、PMOS的值不同。
- ?" J* w; ]% Q, m; C v0 ~（1）、增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。
- s' M4 ?8 F2 F. c（2）、耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。1 H1 x; U6 o6 t: _: Y f% g
2、原理不同。, O3 k$ M: R* v
最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道，而增强型只有在开启后，才出现导电沟道。2 }% A5 Y8 Z5 ^8 r8 L, F
3 m1 a4 X8 l* q* m/ D1 }5 D3、控制方法不同。' x% y! _3 S; o; b
（1）、耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通。, x- G R/ L* f- u" A7 B
（2）、增强型必须使得UGS>UGS(th)才行，一般的增强型NMOS，都是正电压控制的。
# M/ \; U. v6 B) l. B2 Z6 C |
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发表于 2021-11-22 13:16
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