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为什么这个开关的thermal pad用drain极来做而不是连接到GND

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1#
发表于 2021-11-20 14:13 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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看到AOZ13984这个物料用drain做thermal pad, 然后还需要去设计比较大的散热铜皮, 纳闷为什么不设计成把EXP pad直接连接到ground上面,这样散热不是更好?PCB设计也更简单) W9 |# P1 ]& N* O- s8 I; _

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发表于 2021-11-22 15:32 | 只看该作者
  • 芯片的熱源主要來自 MOS 管,該部分沒有任何一個腳位或接點接地。
  • 即便能接到地,相對的也會把熱直接導到下面那堆控制電路,嚴格來說是沒有好處。- \- j% g! ~1 L( t9 x

0 [6 ^4 n+ G% t! Z. Q; |0 }$ E9 v3 I. S3 p. }$ a
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AOZ13984DI-02.jpg (21.07 KB, 下载次数: 0)

AOZ13984DI-02.jpg

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3Q  详情 回复 发表于 2021-11-23 15:51

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2#
发表于 2021-11-20 14:28 | 只看该作者
你看他原理结构就知道了啊,大电流的时候,那个里面的两个MOS管会发热啊,所以要把热量传走免得升温,这个芯片里面的地就是个参考用,又不走电流。电流是从外面的地回流,

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我其实说,把这个thermal pad做成GND net ,不是也可以把芯片本体的热散到PCB上面吗?不需要单独做layout 比较简单  详情 回复 发表于 2021-11-22 14:51

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3#
发表于 2021-11-20 21:42 | 只看该作者
如果这样大面积连接,PCBA加工的时候锡膏散热过快,空焊很严重的
  • TA的每日心情
    开心
    2025-7-11 15:00
  • 签到天数: 225 天

    [LV.7]常住居民III

    4#
    发表于 2021-11-22 10:27 | 只看该作者
    楼主,其实你看这个芯片的工作原理就知道了,它本身地的电流就不大,这个地都是那些控制信号的参考地没有大电流流过,所以不会发热。而输入输出是要过大电流的,所以才会有这样的应用。

    该用户从未签到

    5#
     楼主| 发表于 2021-11-22 14:51 | 只看该作者
    asdf193 发表于 2021-11-20 14:28) d7 i% ]- [6 J# [& e+ \7 O- i  a( Q
    你看他原理结构就知道了啊,大电流的时候,那个里面的两个MOS管会发热啊,所以要把热量传走免得升温,这个 ...

    0 |! i7 A. l- Y+ s+ {. h3 y我其实说,把这个thermal pad做成GND net ,不是也可以把芯片本体的热散到PCB上面吗?不需要单独做layout 比较简单
    3 I" ~3 X+ m+ ?6 Q

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    7#
    发表于 2021-11-22 23:45 | 只看该作者
    本帖最后由 canatto 于 2021-11-22 23:47 编辑
    ! _/ H: l2 p4 i7 d8 p  a& H
    , E# w1 c* C" m$ ?) IFET的功率耗散是发生在drain上,为了有效散热它的封装构造决定了drain与热焊盘有最小热阻,两者直接电连接。这样凡是在应用电路中drain不是接地的情况,如果要求用PCB铜箔帮助散热就只好专门设计一块铜箔连接热焊盘,而且不允许接地,否则短路冒烟。

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    如果是共source背靠背, 也还是要用drain做thermal pad?  详情 回复 发表于 2021-11-23 15:52

    该用户从未签到

    8#
     楼主| 发表于 2021-11-23 15:51 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2021-11-22 15:32
  • 芯片的熱源主要來自 MOS 管,該部分沒有任何一個腳位或接點接地。
  • 即便能接到地,相對的也會把熱 ...
  • ) W  m4 W: U6 c
    3Q
    / l' Y( z6 |( n/ ]* S

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    9#
     楼主| 发表于 2021-11-23 15:52 | 只看该作者
    canatto 发表于 2021-11-22 23:45
    + p# Z. o5 T1 u: s$ n& c; B. I; C; uFET的功率耗散是发生在drain上,为了有效散热它的封装构造决定了drain与热焊盘有最小热阻,两者直接电连接 ...
    ; i# Z7 p) ^/ p$ t3 W( W1 I: @
    如果是共source背靠背, 也还是要用drain做thermal pad?4 z, @$ B9 x# f- W8 V

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    谢谢分享!: 5.0
    thermal pad 在器件内部连接 drain极,是半导体工艺决定,没的改。[/backcolor]  详情 回复 发表于 2021-11-27 06:58
    不要寄豬肉乾給我,這邊會罰三十萬。@_@!!!  发表于 2021-11-24 13:28
    谢谢分享!: 5
    就這個芯片架構來說,把散熱銲盤設置在這個點,會有兩個汲極Drain)在上面,就散熱面積ˊ來看,是一個最佳的選擇。  发表于 2021-11-24 13:15
    吾人畢生所學,盡傳予汝! 你害我昨晚帶著肉乾,去請教已經退休的師父。(自行束脩以上)  详情 回复 发表于 2021-11-24 13:08

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    10#
    发表于 2021-11-24 13:08 | 只看该作者
    kobeismygod 发表于 2021-11-23 15:528 t* Z1 {; N9 }, b
    如果是共source背靠背, 也还是要用drain做thermal pad?
    2 D, \1 A1 v. G  l! x% c
    吾人畢生所學,盡傳予汝!) z1 O5 [4 f* @6 f9 Y1 x5 N
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    你害我昨晚帶著肉乾,去請教已經退休的師父。(自行束脩以上)  Y2 u; N4 W; [; L) K0 ?

    8 r% G- ^. {: N% {& I3 {# C" Q/ Q: n% E

    為什麼大多數 Power MOS 的 Exposed Pad 愷設置在 Drain 端?.pdf

    590.49 KB, 下载次数: 4, 下载积分: 威望 -5

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    kobeismygod + 2 感谢分享!不愧是特邀版主,完美解释我的疑.

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    11#
    发表于 2021-11-27 06:58 | 只看该作者
    kobeismygod 发表于 2021-11-23 15:524 D" j$ B4 J+ j; K3 P) w& Y! S
    如果是共source背靠背, 也还是要用drain做thermal pad?
    % K" N. d9 L% i! H( q5 v* \) U
    thermal pad 在器件内部连接 drain极,是半导体工艺决定,没的改。
    $ C" t5 P( a; Z4 v1 r- W2 t
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