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移动设备向着轻薄短小的方向发展,手机行业是这一方向的前锋,从几代iPhone的尺寸可以看出----薄,是一直演进的方向(图1)。随着物联网、可穿戴等市场兴起,将这一方向推向极致。7 R% }+ G1 r- T u
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. M& a9 f; D$ Z* ~- S" U. Z$ qSiP封装共形屏蔽简介、性能、工艺、应用及优点解析
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图1iPhone厚度变化
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手机的薄型化,得益于多方面技术的进步,包括SiP、PCB、显示屏等技术,其中关键的技术之一就是EMI屏蔽技术。传统的手机EMI屏蔽是采用金属屏蔽罩,屏蔽罩在横向上要占用宝贵的PCB面积,纵向上也要占用设备内部的立体空间,是设备小型化的一大障碍。新的屏蔽技术——共形屏蔽(Conformal shielding),将屏蔽层和封装完全融合在一起,模组自身就带有屏蔽功能,芯片贴装在PCB上后,不再需要外加屏蔽罩,不占用额外的设备空间,从而解决这一难题。如图2,iPhone 7主板上,大部分芯片都采用了Conformal shielding技术,包括WiFi/BT、PA、Memory等模组,达到高度集成且轻薄短小的目的。( H' R! r7 m7 ?2 ~
5 Q& J \# y! Z" e" ]7 A' }SiP封装共形屏蔽简介、性能、工艺、应用及优点解析
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图2iPhone7主板上采用共形屏蔽技术的模组
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+ G* _2 W8 y1 M9 V) F$ j8 bSiP封装共形屏蔽
8 U6 ]( H& K0 m; l. q$ K& m电子系统中的屏蔽主要两个目的:符合EMC规范;避免干扰。传统解决方案主要是将屏蔽罩安装在PCB上,会带来规模产量的可修复性问题。 此方法也可以在SiP模组中使用,如图3中的模组封装,或Overmolded shielding将屏蔽罩封装在塑封体内。 这两种屏蔽解决方案,虽然实现了屏蔽罩的SiP封装集成,但是并未降低模组的高度,同时也会带来工艺和成本问题。: S v5 q7 P6 }6 ~
; `. k- K5 \ _5 ^5 gSiP封装共形屏蔽简介、性能、工艺、应用及优点解析
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; _0 ]9 H: {. d& P图3传统的屏蔽罩模组及SiP封装内集成(Overmolded shielding)屏蔽罩
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SiP封装的共形屏蔽,可以解决以上问题。如图4,SiP封装采用共形屏蔽技术,其外形与封装一致,不增额外尺寸。: r8 M' c. v6 R& \9 K# Z) o
# B# G+ V+ q' C# lSiP封装共形屏蔽简介、性能、工艺、应用及优点解析9 ~/ c1 B! p" a+ R3 u- V
2 F9 |. m; D8 v8 }* S图4共形屏蔽SiP封装以及与传统屏蔽罩的区别
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4 M* u0 S3 J) _; m0 b) z6 y- I/ B% E }共形屏蔽的性能
3 P: a9 U' A4 m# J+ H共形屏蔽实现了极好的屏蔽效果,在远场高达12GHz,近场高达6GHz,以及10MHz-100MHz的低频,屏蔽效果在30dB以上。如图5,从SiP封装实际测量结果,可以看出共形屏蔽的出色效果。
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图5共形屏蔽的测试效果
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共形屏蔽的工艺* b- @5 c% {3 ?: V! h" b) F, O
共形屏蔽目前主流工艺有三种:电镀,喷涂,溅射。各工艺的优缺点对比如下表:
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SiP封装共形屏蔽简介、性能、工艺、应用及优点解析
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5 B P$ ^/ [* J$ W2 s以溅射为例,工艺流程如图6:$ b+ j7 L) S1 W, U3 |
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SiP封装共形屏蔽简介、性能、工艺、应用及优点解析
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% Y4 \* m0 M( b# s# X图6共形屏蔽的溅射工艺流程: P+ n. o1 @' F3 q+ O- M5 l6 x( n' ~
+ o4 V3 y3 W8 f) l共形屏蔽的应用
0 D2 o0 H. {1 l; c共形屏蔽主要用于PA,WiFi/BT、Memory等SiP模组封装上,用来隔离封装内部电路与外部系统之间的干扰,如图7。, c8 y5 n' ~9 U- K% M
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0 G( |/ F. H3 m" M图7 WiFi模组共形屏蔽结构* {8 f) _$ j: s
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对于复杂的SiP封装,将AP/BB、Memory、WiFi/BT、FEM等集成在一起,封装内部各子系统之间也会相互干扰,需要在封装内部隔离。另外,对于大尺寸的SiP封装,其整个屏蔽结构的电磁谐振频率较低,加上数字系统本身的噪声带宽很宽,容易在SiP内部形成共振,导致系统无法正常工作。4 ]; y, ~! G, ~4 O% G1 ]
; l) P3 a+ b4 L+ u# S" ?# l1 ZCompartment shielding(划区屏蔽)除了可用于封装外部屏蔽,还可以对封装内部各子系统模块间实现隔离。其由Conformal shielding技术改进而来,用激光打穿塑封体,露出封装基板上的接地铜箔,灌入导电填料形成屏蔽墙,并与封装表面的共形屏蔽层一起将各子系统完全隔离开。另外,划区屏蔽将屏蔽腔划分成小腔体,减小了屏蔽腔的尺寸,其谐振频率远高于系统噪声频率,避免了电磁共振,从而使得系统更稳定。Compartment shielding典型的应用案例就是iWatch里的S1模组,如图8。! S: k, F1 Z9 S) ]0 B
0 G% W2 K. ^- ~# y; U5 j+ ESiP封装共形屏蔽简介、性能、工艺、应用及优点解析
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/ z. F* F& y/ S7 T3 ^8 f: @3 ?5 h! `+ @图8苹果S1 SiP封装Compartment shielding结构. q) b9 [( h: G0 [5 w- f
8 _. g! I' a5 v7 K总结SiP共形屏蔽的优点:
0 r' ]! {7 O/ T; x共形(Conformal)和划区(Compartmental)屏蔽方案应用灵活广泛:+ d0 v' t }. }$ X n* i
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最大限度减少封装中的杂散和EMI辐射
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最大限度减少系统中相邻器件间的干扰/ }4 S# U5 q4 [
) \& Z$ |2 w! W* t* r# Q器件封装横向和纵向尺寸增加几乎为零* |5 Q% a& Y" n- f+ d
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节省系统特殊屏蔽部件的加工和组装成本9 U2 t& ?9 E; U' x. t
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节省PCB面积和设备内部空间
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共形屏蔽技术,可以解决SiP内部以及周围环境之间的EMI干扰,对封装尺寸和重量几乎没有影响,具有优良的电磁屏蔽性能,可以取代大尺寸的金属屏蔽罩。必将随着SiP技术以及设备小型化需求而普及。 |
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