MOS管的源极和漏极有什么区别

MrL1

MOS管的源极和漏极有什么区别？
: ?$ \% m% d1 E" q

Cyberbot6

一、指代不同
# \# N4 E+ K, d1 }: M, I1、源极：简称场效应管。T仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。
2、漏极：利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动， 或驱动比芯片电源电压高的负载。  
* x/ k* \; q4 ~+ T" Z' z9 h二、原理不同
: n* {/ t1 i9 P# W. ^3 @; v- e1、源极：在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区（用P+表示），就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极（g），在N型半导体的两端各引出一个电极。
2、漏极：将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极。

land

mos管，如果漏极与源极的电压反接，就是当作二极管来用了。
mos管，漏极和源极之间反并有一寄生二极管。

opipo

对于绝缘栅NMOS管，接高压为漏端，接低压为源端。PMOS刚好相反。从原理上，NMOS载流子是电子，由低电压处提供，所以低压端称源端，PMOS载流子是空穴，由高压处提供，所以高压端称源端。
* R. M, M, n) k" D