GaN在射频和电子中的应用

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GaN 是极为稳定的化合物，又是坚硬和熔点高的材料，其熔点为高达1700℃。同时，GaN 有较高的电子密度和电子速度，其高电离度，也是在三五族化合物中最高的，因此受到高频、高功率类别电子产品的青睐。
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GaN 目前主要的应用就在微波射频、电力两大领域。具体而言，微波射频包含5G 通讯、雷达预警、卫星通讯等应用；电力则包含智慧电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费电子等。

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" ?- `1 Z8 {# K     GaN 的射频零组件具有高频、高功率、较宽频宽、低功耗、小尺寸的特点，能有效在5G 世代中节省PCB 的空间，特别是手机内部空间上，且能达到良好的功耗控制。

在5G产品中，GaN主要应用在Sub-6GHz基地台和毫米波(24GHz以上)的小基地站。Yole预估GaN射频市场将从2018年的6.45亿美元成长2024年的20亿美元，CAGR达21%，这主要受电信基础设施及国防两大领域所推动，而卫星通信、有线宽频和射频也有一定的贡献。

在要求高频高功率输出的卫星通讯中，市场预估GaN 将逐渐取代GaAs 成为新的解决方案。而在有线电视和民用雷达市场与LDMOS 或GaAs 材料相比，GaN 的成本仍高，短期内大量取代的情况不易见。
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$ H  U1 y0 C( v1 j3 {- k$ e      在GaN 射频领域主要由美、日两国企业主导，其中，以美商Cree 居首，住友电工、东芝、富士通等日商紧追在后，中国厂如三安光电、海特高新、华进创威在此领域虽有着墨，但与国际大厂相比技术差距大。

电力

7 {& T$ T. j, e, f) a- Y     在600 伏特左右电压下，GaN 在电源管理、发电和功率输出方面具有明显的优势，这使GaN 材料的电源产品可更为轻薄、高效率，且GaN 充电插头体积小、功率高、支援PD 协定，有机会在未来统一NB 和手机的充电器市场。

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GaN 的射频零组件具有高频、高功率、较宽频宽、低功耗、小尺寸的特点，能有效在5G 世代中节省PCB 的空间，特别是手机内部空间上，且能达到良好的功耗控制
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在600 伏特左右电压下，GaN 在电源管理、发电和功率输出方面具有明显的优势，这使GaN 材料的电源产品可更为轻薄、高效率，且GaN 充电插头体积小、功率高、支援PD 协定，有机会在未来统一NB 和手机的充电器市场。
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GaN 有较高的电子密度和电子速度，其高电离度，也是在三五族化合物中最高的，因此受到高频、高功率类别电子产品的青睐
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ldezgr

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