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试解释mos管具有电压放大作用的基本原理?

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发表于 2021-11-3 09:31 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。0 G! p2 Y3 K' a3 G% a
6 e  a2 d7 @7 w7 O7 P! S3 i5 Z
定义
& J( v  M$ W# a0 F9 T: C# C9 x: m7 x双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道,详情参考右侧图片(N沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压Mos管。$ y$ o9 [4 n6 ?) E/ }( Y2 [
9 w- U* ~7 O9 G& ?) S5 k; C, Z
场效应管的名字也来源于它的输入端(称为gate)通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
! Z& B3 S% n* C1 a
$ o, Q/ h2 z/ r0 [无论N型或者P型MOS管,其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性,不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应,因此在开关应用中,MOS管的开关速度应该比三极管快。

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发表于 2021-11-3 10:27 | 只看该作者
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体9 H* z0 G% |& G

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发表于 2021-11-3 10:59 | 只看该作者
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化
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4#
发表于 2021-11-3 11:01 | 只看该作者
无论N型或者P型MOS管,其工作原理本质是一样的
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