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可代换055N08场效应管,选对参数才能让储能电源稳定使用

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发表于 2021-10-28 20:50 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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对于电子产品而言,选对参数的MOS管才能让储能电源更加稳定的使用。面对近几年来,芯片一直是非常欠缺的,MOS管厂也是缺乏芯片的情况下。选择怎样的MOS管厂才行呢?' o9 ^% A& t1 `* ~- \4 c; B4 ]! ^8 S

( r- t. a& y& G0 s当然是能够持续供应国产优质MOS管的厂家,对于储能电源MOS管的场景使用中,我们推荐一款可替代055N08、052N08、SVG095R0NT(S)、IPP052N08N5这四款场效应管的使用。它能够很好的进行代换,提升储能电源产品的稳定性。
( S" @/ @8 T' w2 Q9 r1 ?( U" k
2 g; r! @; B0 K& uFHP110N8F5B型号的MOS管是由国内已经专注研发19年的MOS管厂家生产,它是可以代换052N08、SVG095R0NT(S)、IPP052N08N5等型号参数的场效应管。
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就储能电源而言,随着国内市场发展,未来一定还是增长的。因此选择一款稳定、优质的MOS管来代换055N08、052N08、SVG095R0NT(S)、IPP052N08N5这类型的型号使用是很重要的。& X2 S1 a( l" b  A& G
, Z2 y3 Q1 e. U8 t% ~5 v' ]: h
我们来看看这款优质的FHP110N8F5B国产场效应管为什么说能比较好的代换055N08型号参数在储能电源中使用?
+ r  h2 P. l$ l/ Q1 a( F
/ j9 x- O: i3 r# p- C* ]3 y' S: H核心当然是从参数出发,我们来看看飞虹这款FHP110N8F5B的具体产品参数,具有147A、85V, RDS(on) = 5.5mΩ(max) ,最高栅源电压@vgs =±20 V,100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS测试,极低的FOM(RDSON*Qg),极低的输入电容的特点。
- D/ Z4 @5 ^  t* _/ L' l7 n1 e1 v( y' I7 r
, G! a% L5 {* }3 i( E
FHP110N8F5B的主要封装形式是TO-220、TO-263。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):147A;BVdss(V):85V。
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在国产化的场效应管代换使用过程中,我们更推荐使用优质的飞虹国产型号:FHP110N8F5B型号参数来代换055N08型号。它作为N 沟道增强型场效应晶体管,TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源、DC-AC逆变器、AC-DC开关电源、UPS、储能电源、园林工具和BLDC电机驱动等TO-263产品广泛使用在各类锂电池保护板上;在使用方面是匹配型号055N08、055N08、SVG095R0NT(S)、IPP055N08N5的场效应管。
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( \/ H& b1 Z9 C( k( Q) Q8 j9 x85V、147A 的MOS管代换使用,选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管已经广泛应用于电源电路、智能家居、新能源电子领域:如汽车电子、电瓶车、智能音响、家用电器、LED照明、充电器、电脑电源等行业,为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹电子”即可找到我们
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发表于 2021-10-29 09:03 | 只看该作者
就储能电源而言,随着国内市场发展,未来一定还是增长的
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