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TO-226封装的N沟道场效应管,代换052N08用于储能电源

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发表于 2021-10-22 20:41 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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对于像储能电源这类型产品的生产,需要有稳定、可持续的MOS管供应是非常重要的。近几年来,芯片一直是非常欠缺的,各个需要芯片的产品线都是紧缺的。面对这样的情况,MOS管厂当然要选择有实力,能够持续供应国产优质MOS管的厂家。
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$ o; {* R* }) K5 z( T- J. Q那么在储能电源MOS管的应用推荐中,我们推荐一款可替代052N08、055N08、SVG095R0NT(S)、IPP052N08N5这四款场效应管的使用。它能够很好的进行替换,提升储能电源产品的稳定性。
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  U0 L' B+ q- Y9 Q, A这一款MOS管FHP110N8F5B型号是由国内已经专注研发19年的MOS管厂家生产,它是可以代换052N08、SVG095R0NT(S)、IPP052N08N5等型号参数的场效应管。5 @. U; ?8 I- O2 V( [

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对于储能电源而言,随着国内市场的不断感知开发,未来一定还是增长的。因此选择一款稳定、优质的MOS管来替换052N08、055N08、SVG095R0NT(S)、IPP052N08N5这类型的型号使用是很重要的。
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如今在国内经过几十年的发展,优质的FHP110N8F5B国产场效应管已经能比较好的代换052N08型号参数在储能电源中使用。为什么?. Y% v7 o! C* W

, i, L' U$ E& B) n+ ]我们来看看飞虹这款FHP110N8F5B的具体产品参数,具有147A、85V, RDS(on) = 5.5mΩ(max) ,最高栅源电压@vgs =±20 V,100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS测试,极低的FOM(RDSON*Qg),极低的输入电容的特点。
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! l- W( j  r( |) q0 u/ _FHP110N8F5B的主要封装形式是TO-220、TO-263。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):147A;BVdss(V):85V。
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在国产化的场效应管替换使用过程中,我们更推荐使用优质的飞虹国产型号:FHP110N8F5B型号参数来代换052N08型号。它作为N 沟道增强型场效应晶体管,TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源、DC-AC逆变器、AC-DC开关电源、UPS、储能电源、园林工具和BLDC电机驱动等TO-263产品广泛使用在各类锂电池保护板上;在使用方面是匹配型号052N08、055N08、SVG095R0NT(S)、IPP052N08N5的场效应管。
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* b& D6 a( U4 i$ Y0 l* `7 |; R85V、147A 的MOS管替换使用,选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管已经广泛应用于电源电路、智能家居、新能源电子领域:如汽车电子、电瓶车、智能音响、家用电器、LED照明、充电器、电脑电源等行业,为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹电子”即可找到5 @  v. j& |' A' X1 _. @4 o
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发表于 2021-10-25 08:49 | 只看该作者
储能电源随着国内市场的不断感知开发,未来一定还是增长的
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