mos场效应管和结型场效应管有什么区别

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mos场效应管和结型场效应管有什么区别？

理论的

mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。
结型场效应管在栅极与沟道之间是反偏的pn结形成的门极电压控制。所以输入电阻不及mos场效应管。

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1. 场效应管（fet）分为mos场效应管（mosfet）和结型场效应管（jfet）。现在主要使用mos场效应管，即通常所称的mos管。
: y' U% G) q% c  {2. 每种场效应管都有p型和n型两种管子。类型是依据沟道的类型来定的，沟道为n型沟道（电子），管子就为n型，沟道为p型沟道（空穴），管子就为p型。
3. mos是金属（metal）-氧化物（oxide）-半导体（semiconductor）的简称，即栅-二氧化硅-硅。jfet中的j代表junction，即“结”，表示pn结的结。fet代表field effect transistor，即场效应管。
4. 场效应管包括了mos管和结型管，每种管子又有n型和p型。现在的各种教材和文献中提到的一般都是mos管。
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