单管和MOS管的区别是什么啊？逆变部分只能用IGBT模块吗，MOSFET模块、单管模块行吗...

twel2e

1、分立器件是哪些啊
2、快恢复二极管和快恢复二极管模块的区别；
: P8 Q, K  ?5 `0 K2 e2 d$ Q4 \3、晶闸管，可控硅，单管，MOS管，快恢复二极管，分立器件的区别？
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Cyberbot6

单管是只有一个管芯的IGBT或MOSFET；单管的电流一般比较小，50A以下；
. v% N8 M1 ]9 n6 H; C$ }: R3 \9 j4 v模块是在内部并联了若干个管芯的IGBT或MOSFET；模块的电流可以做得很大，可以达到数百甚至上千A。
快恢复管也是同样。
至于可控硅则不用模块技术，因为可控硅单管关心就可以做到很大的电流

land

igbt在结构上是npn行mosfet增加一个p结，即npnp结构，在原理上是mos推动的p型bjt；
多的这个p层因内有载流子，有电导调制作用，可以使igbt在跟高电压和电流下，有很低的压降，因此igbt可以做到很高电压（目前最大6500v），但由于载流子存在，igbt关断是电流会拖尾，关断速度会减低；
mos就是mosfet的简称了；
igbt和mos是全控器件，是电压型驱动，即通过控制栅极电压来开通或关断器件；可控硅是半控器件，电流型驱动，即给栅极通一定的电流，可以是可控硅开通，但是一旦开通，就不受栅极控制，将栅极的电压电流信号去除，仍然保持开通，只用流过可控硅的电流减小，或可控硅ak两端加反压，才能关断；
igbt和mos频率可以做到几十上百khz，但可控硅一般在1khz以内
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Blah

看一下别人是怎么说的