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典型电子元器件失效分析方法

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发表于 2021-10-18 11:28 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1、 微分析法 ) c$ d+ {" Z8 n' K
(1) 肉眼观察是微分析技术的第一步,对电子元器件进行形貌观察、线系及
+ j7 ]. x* V1 [其定位失准等,必要时还可以借助仪器,例如:扫描电镜和透射电子显微镜等进 $ A; t2 L" z5 I
行观察;1 z+ f" f5 t2 w) U5 B$ _
(2) 其次,我们需要了解电子元器件制作所用的材料、成分的深度分布等信
9 T+ @3 N- T% B# O息。而 AES、SIMS 和 XPS 仪器都能帮助我们更好的了解以上信息。不过,在 % S+ u5 y* e3 [8 Z
作 AES 测试时,电子束的焦斑要小,才能得到更高的横向分辨率;
( A3 ]* {; b) }2 }(3) 最后,了解电子元器件衬底的晶体取向,探测薄膜是单晶还是多晶等对
! M4 Z- L( d6 f其结构进行分析是一个很重要的方面,这些信息主要由 XRD 结构探测仪来获取。
- p5 l7 S# S* B# q  L3 S8 U2、 光学显微镜分析法
9 {* B# a7 L& ~$ ~0 J! c' E$ p进行光辐射显微分析技术的仪器主要有立体显微镜和金相显微镜。将其两 1 c8 c" A7 i/ r  ~) X3 z; e# |
者的技术特点结合使用,便可观测到器件的外观、以及失效部位的表面形状、结
; f7 z- o  ?; J/ k' ~, E构、组织、尺寸等。亦可用来检测芯片击穿和烧毁的现象。此外我们还可以借助 3 @% d5 `3 S3 [  H, I+ b, T% }
具有可提供明场、暗场、微干涉相衬和偏振等观察手段的显微镜辅助装置,以适 . |: D# P/ f  w" H/ h
应各种电子元器件失效分析的需要。
8 {( J& D6 x" n+ \/ b
! F: F0 P0 P8 `5 d  t+ Z
7 d$ f, I/ L& {: a5 I  u; t. v  D/ ~: {( E3 v4 N
: H- }3 e8 N0 K* H) ?" g; W: R

/ Y0 @; t# n2 O4 G# K1 C附件: 典型电子元器件失效分析方法.pdf (86.49 KB, 下载次数: 2) 9 [) G2 G9 r8 n- O

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    [LV.10]以坛为家III

    2#
    发表于 2021-10-18 11:38 | 只看该作者
    这个资料很稀饭,很有参研价值,值得学习和研究,学习下

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2021-10-18 15:52 | 只看该作者
    声学显微镜分析法: B$ n+ k5 Y5 p; _/ j
    这个方法也用的多; \) k  S9 Z1 e) ]2 E% @  p' L# J$ B: k% b
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