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1、 微分析法 ) c$ d+ {" Z8 n' K
(1) 肉眼观察是微分析技术的第一步,对电子元器件进行形貌观察、线系及
+ j7 ]. x* V1 [其定位失准等,必要时还可以借助仪器,例如:扫描电镜和透射电子显微镜等进 $ A; t2 L" z5 I
行观察;1 z+ f" f5 t2 w) U5 B$ _
(2) 其次,我们需要了解电子元器件制作所用的材料、成分的深度分布等信
9 T+ @3 N- T% B# O息。而 AES、SIMS 和 XPS 仪器都能帮助我们更好的了解以上信息。不过,在 % S+ u5 y* e3 [8 Z
作 AES 测试时,电子束的焦斑要小,才能得到更高的横向分辨率;
( A3 ]* {; b) }2 }(3) 最后,了解电子元器件衬底的晶体取向,探测薄膜是单晶还是多晶等对
! M4 Z- L( d6 f其结构进行分析是一个很重要的方面,这些信息主要由 XRD 结构探测仪来获取。
- p5 l7 S# S* B# q L3 S8 U2、 光学显微镜分析法
9 {* B# a7 L& ~$ ~0 J! c' E$ p进行光辐射显微分析技术的仪器主要有立体显微镜和金相显微镜。将其两 1 c8 c" A7 i/ r ~) X3 z; e# |
者的技术特点结合使用,便可观测到器件的外观、以及失效部位的表面形状、结
; f7 z- o ?; J/ k' ~, E构、组织、尺寸等。亦可用来检测芯片击穿和烧毁的现象。此外我们还可以借助 3 @% d5 `3 S3 [ H, I+ b, T% }
具有可提供明场、暗场、微干涉相衬和偏振等观察手段的显微镜辅助装置,以适 . |: D# P/ f w" H/ h
应各种电子元器件失效分析的需要。
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/ Y0 @; t# n2 O4 G# K1 C附件:
典型电子元器件失效分析方法.pdf
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