IGBT焊机和MOS管的区别

twel2e

1、定义
IGBT焊机：逆变过程需要大功率电子开关器件，采用绝缘栅双极晶体管IGBT作为开关器件的的逆变焊机成为IGBT逆变焊机。
2 w" D2 _% I. pMOS管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。
IGBT焊机：
MOS管：
2、工作过程
8 f! m3 ?! _  B1 G) ?4 V; PMOS管：管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。
IGBT焊机：将三相或单相工频交流电整流，经滤波后得到一个较平滑的直流电，由IGBT组成的逆变电路将该直流电变为几十KHZ的交流电，经主变压器降压后，再经整流滤波获得平稳的直流输出焊接电流。
扩展资料：
MOS管的主要参数：
1、开启电压VT
开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压：标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2、直流输入电阻RGS
即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比，这一特性有时以流过栅极的栅流表示，MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
. w" `. G6 k+ v. j6 e. i3、漏源击穿电压BVDS
, r- ?. V1 y, k# A2 L& ]% i在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS。
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colin_fa

IGBT、Mos均为器件，IGBT焊机，也就是电焊机，是产品。

cyberbot8

MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快

land

MOS管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体
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Blah

逆变过程需要大功率电子开关器件，采用绝缘栅双极晶体管IGBT作为开关器件的的逆变焊机成为IGBT逆变焊机。
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colin_fa

补充两张MOSFET与IGBT的差异，供看帖的网友参考。

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