可替换FQPF7N65C型号参数应用在开关电源模块的7N65F MOS管

幕刃1

广东省制造业十四五规划明确以广州、 深圳、 珠海为核心, 打造涵盖设计、制造、 封测等环节的半导体及集成电路全产业链。 支持广州开展 “芯火“双创基地建设, 建设制造业创新中心。
7 G7 j" I2 s8 Y+ A" L
意味着，广东省即将进入新时期的电子发展道路。面对该发展机会，涉及电源厂家如何为自己的工厂建立稳定的元器件库是一件非常重要的事情。而这其中MOS管是电源厂家的一个重要电子元器件。
! Q! a1 W" V& d. T% n/ U
- r6 {" g. C8 f7 `5 F7 d+ T在国产化产品变得越来越好的情况下，国内已经有很多具有生产、研发能力的MOS管厂家。比如今天这一款MOS管正是可以替代国外FQPF7N65C型号参数的场效应管。

9 d  l3 p0 E9 I6 x

0 S6 A2 w- X- [& `! X6 F稳定性是在开关电源的实际应用占据非常重要的地位，国外FQPF7N65C型号场效应管在国产化比较弱时是经常被使用的。
9 @3 h/ G! O, D. V) {
& g$ j# h6 n' B6 l在之前是无法找到可替代的国产场效应管，不然早就有很多电子工程师都希望能够找到一款优质国产场效应管替代FQPF7N65C型号参数在电路的开发中。
& Y1 Q9 ~6 s/ Y% }
就目前而言，在国内市场中，飞虹的FHP7N65F型号即可跟FQPF7N65C型号参数进行对标。

5 I' O- _1 Z0 t飞虹这款FHP7N65F为N沟道增强型高压功率MOS场效应管，广泛应用于45W-60W的AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动；在使用方面是匹配型号FQPF7N65C的国外场效应管。

5 `9 v  `7 S. s# y4 @! c: DFHP7N65F具有7.0A,、650V， RDS(on) = 1.5Ω(max) @vgs = 10 V，低电荷、低反向传输电容、开关速度快的特点。
1 R& u5 p! Q- K- _
FHP7N65F的主要封装形式是TO-220，脚位排列位GDS。这款产品参数：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：7A；BVdss（V）：650V。
/ U4 f; d# ]! u( J( f( i2 i: c
( {( L# E( _& \0 W# ?0 J; E5 P% i在国产化的场效应管替换使用过程中，我们更推荐使用优质的飞虹国产型号：FHP7N65F型号参数来替代FQPF7N65C型号。
" ~$ I+ Z# T1 s9 H5 `, |) k
' O' |% K* j* u5 |6 {6 P

650V、7A 的MOS管替换使用，选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管已经广泛应用于电源电路、智能家居、新能源电子领域：如汽车电子、电瓶车、智能音响、家用电器、LED照明、充电器、电脑电源等行业，为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹电子”即可

% D8 n! m; o( u8 X: Z* R; F

lock_lilu

强烈支持，谢谢楼主分享