|
EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
5 ~9 x o/ D0 I: h7 x0 B射频前端是射频收发器和天线之间的一系列组件,主要包括功率放大器(PA)、天线开关(Switch)、滤波器(Filter)、双工器(Duplexer和Diplexer)和低噪声放大器(LNA)等,直接影响着手机的信号收发。
. R, |% h4 }# C其中:/ P6 y! [7 H! Y/ d
1、功率放大器(PA)用于实现发射通道的射频信号放大;
7 z: M h8 w: S% _0 g. S. _5 c2、天线开关(Switch)用于实现射频信号接收与发射的切换、不同频段间的切换;! {: a2 w* v5 Y- ^6 m' z: ?
3、滤波器(Filter)用于保留特定频段内的信号,而将特定频段外的信号滤除;
2 I# j) ]; V$ A4、双工器(Duplexer和Diplexer)用于将发射和接收信号的隔离,保证接收和发射在共用同一天线的情况下能正常工作;
# r0 x! v! V G2 t. r( s5、低噪声放大器(LNA)用于实现接收通道的射频信号放大。: J8 o& I5 e5 w0 Y5 _' y
扩展资料:
, t c3 p* E8 o ]' ?. O
! F6 m% J) y, p一、射频前端的作用:3 b, v8 c' @: Z" G/ I, ]/ ?
射频前端芯片是移动智能终端产品的核心组成部分,追求低功耗、高性能、低成本是其技术升级的主要驱动力,也是芯片设计研发的主要方向。1 ?3 E6 P8 |; @4 G9 H
射频前端芯片与处理器芯片不同,后者依靠不断缩小制程实现技术升级,而作为模拟电路中应用于高频领域的一个重要分支,射频电路的技术升级主要依靠新设计、新工艺和新材料的结合。
: {( T+ n% M1 b7 O, O二、射频前端的材料:; a( B# y0 z# y$ R
行业中普遍采用的器件材料和工艺平台包括 RF CMOS、SOI、砷化镓、锗硅以及压电材料等,逐渐出现的新材料工艺还有氮化镓、微机电系统等,行业中的各参与者需在不同应用背景下,寻求材料、器件和工艺的最佳组合,以提高射频前端芯片产品的性能。- w% X6 o% v6 T* Z) s
三、射频前端的成本:9 [& m1 J- v# C. N" R/ x( N' K, W
一款终端往往需要支持多个频段,这种频段的增加直接导致射频前端设计复杂度的提升,往往方寸之间就要容纳上百个元器件。特别是千兆级网络的来临,多载波、高阶的调制、4x4 MIMO等技术的融入令前端设计复杂度直线提升,复杂度的提升直接意味着成本的增加,并在手机BOM成本中占有越来愈高比例,足见其重要性。 |
|