LPDDR4 单端和差分阻抗要控制多少 ohm ?

hanbingchong · 发表于 2021-3-15 16:03

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各位大神，LPDDR4 的单端和差分阻抗控制还是跟DDR3 的一样，单端控制 50ohm, 差分控制 100ohm就可以了吗 ?
我找了各种资料都没有找到。

02041143 · 发表于 2021-3-23 09:15

单端45ohm 差分90ohm

950 · 发表于 2021-3-15 16:24

芯片规格书上一般会有要求，可以查查看

rorychan · 发表于 2021-3-15 16:29

是的，和DDR3一样。单端50，差分100.

caoshan_c · 发表于 2021-3-15 17:37

单端50 差分100

athena_lu · 发表于 2021-3-16 09:52

正解。

lihaobuer · 发表于 2021-3-16 10:32

111111111111111

mggimg · 发表于 2021-3-17 11:20

单端40，差分80

tavor · 发表于 2021-3-20 11:16

要求是50 100的单根与差分阻抗，但是40 80的阻抗利于高频是TIMEING MARGIN, 不过说起来以前走板没经验的时候，啥也不管，阻抗等长都不管，还不是跑的好好的，该量产量产。

mao! · 发表于 2021-3-27 15:02

50设计就行了

mao! · 发表于 2021-3-27 15:03

阻抗有个范围的

麒零 · 发表于 2021-4-2 00:43

有做过分段控制阻抗的，器件本体部分控制50/100ohm，颗粒与主控芯片之间按照40/85ohm，即两头细中间粗。

EdisonZheng · 发表于 2021-5-9 23:54

仿真一下就知道了。ODT选择40ohm，单端阻抗40ohm会最优，差分80ohm.当然，如果你PCB层叠设计导致线宽太粗，空间又有限制，做不到很大距离，可以做45ohm.差分线通过调整PN间距，80ohm应该可以实现

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