制造IC的基础原料：晶圆切割液配方整理

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晶圆是制造IC的基础原料。硅晶圆的加式过程往往需要基于纯度达到99．999％的纯硅材料，这些纯硅需要被制成硅晶棒，经过照相制版、研磨、抛光、切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片的、薄薄的硅晶圆。
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基于硅晶圆可以加工制作成各种电路元件，生产有特定电性功能的集成电路产品。

晶圆划片是整个芯片制造工艺流程中的一道必不可少的工序。
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晶圆划片过程中，由于强机械力的作用，晶圆边沿容易出现微裂、崩边和应力集中点，晶圆表面也容易存在应力分布不均和损伤的情况，这些缺陷是造成晶圆制造中产生大量滑移线、外延层错、滑移位错、微缺陷等二次缺陷以及晶圆、芯片易破裂的重要因素。

  t% l$ U2 Q' t8 `; d$ i# m0 r1 F线切割工艺中，克服线锯的晃动、提高其稳定性，对降低硅片表面损伤（尤其是是表面较粗糙的缺陷）具有重要作用，选择性能优良的线切割液是减小或避免这些问题的重要途径。
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切割液具有一些特点：
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1 u6 ^# `  Z8 g' L% s. k6 b) @它会对加工工艺指标影响比较大，主要是加工精度、效率和表面的粗糙程度。
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# r& I/ q, F  `, M5 s' w- S8 o它可减少硅晶圆切割设备发生锈蚀的问题。
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, {' y/ Z, i: k  z" ?$ f3 t它有良好的低泡沫性能。

; ]2 P) R5 [9 D% a% A由于切割液能降低晶圆表面操作和机械应力，它有利于晶圆加工后续工序的进行。
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切割液有优异的润滑性能和导热性能，可以降低脆性崩裂和划伤，提高硅晶圆的成品率。
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它能减少表面碎屑和表面金属层残留。
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: m! x5 t. y' T2 |某公司开发的一款晶圆切割液，它的润滑性和切割效率高，减少了脆性崩裂、划痕、隐裂等问题，能提高硅晶圆的切割效率和成品率。
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( n4 {9 Y9 b7 [: z$ w工艺细节要求：
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7 ]! ?! X% L% A使用软水配制工作液；
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! J+ S: f5 |, V, Z- z9 x- {水稀释15～25倍使用；

3 f  H& B( p, N长时间使用的话，切割液的耗损量达到切割液总量的1／3~1／2时，要及时补加原液或适当浓度的新工作液；

参考配方：
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, o+ D) Z4 }! j$ w+ D4 [' k( y7 `70公斤去离子水+20公斤聚醚（表面活性剂）+5公斤聚乙二醇（表面活性剂）+3公斤炔醇（润湿渗透剂）+0.2公斤封端聚醚（消泡剂）

75公斤去离子水+15公斤脂肪醇聚氧乙烯醚（表面活性剂）+5公斤聚丙二醇（表面活性剂）+5公斤炔醇聚氧乙烯醚（润湿渗透剂）+0.2公斤封端聚醚（消泡剂）
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可减少硅晶圆切割设备发生锈蚀的问题