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??残铜率差异对介厚控制及电镀的影响有多大?

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发表于 2021-2-24 13:12 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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??残铜率差异对介厚控制及电镀的影响有多大?) `3 p" Z. W, ^) D( i5 k# q- q8 \
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    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2021-2-24 13:42 | 只看该作者
    拼版内层图形采用线宽为177.8 μm的线路,通过调节线路间距获得残铜率分别为0%-100%的模块(步长为10%),外层残铜率设计为20%、33%和50%。
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    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2021-2-24 13:43 | 只看该作者
    蚀刻后切片分析拼版不同位置处介厚、线宽和铜厚差异,并采用软件计算其对阻抗的影响。
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    [LV.2]偶尔看看I

    4#
    发表于 2021-2-24 14:10 | 只看该作者
    流程设计:开料→内层图形→压合→板镀→外层干膜→图形电镀→外层蚀刻→测试  不能出错
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