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在利用SIwave做频率扫描的问题

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1#
发表于 2011-3-22 15:41 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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在利用siwave做频率扫描的时候,据说Vsoure激励源应该放在实际电流输入端,Vprobe放在芯片电压PIN附近.我个人认为应该相反搁置,理由是:芯片才是电源平面噪声的主要来源,有没人同意我的说法?! X; o  D! M: [- \8 `& W& I

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2#
发表于 2011-3-22 16:15 | 只看该作者
从你的问题看你是用siwave做PI!
6 M3 R' z& c0 Q# h- ?; [0 f/ S: S: N9 z) I( ?
如果是这样的话.用siwave做PI的话一般从2个方面开始做0 w" X$ y: L' U$ N, m7 P2 N
1.是谐振分析9 {% X$ B% h% l2 d
2.是阻抗分析.! I( q6 t; C( r8 }6 G2 A0 a

) ^' i( B4 V" }3 O( Y- i8 p还有你指出的是电源平面一般是信号的噪声源,我们一般从字面上理解没问题.# w' y5 j6 `( A; j
但实际上电源平面除了有自生无法消除的ripple.还有高速数字信号的跳变引起的SSN等.
& [, l0 F1 {2 A这些都是构成电源平面不完整的主要因素.并且都是由外部因素引起的.
! K% R( Y: C4 N0 \9 G! ~; U8 S" ]- P6 h: J2 E" `, b/ u6 _

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3#
发表于 2011-3-23 09:59 | 只看该作者
频率扫描是为了观察该激励源对系统其他部分的耦合,所以激励源应放置在板子上可能是干扰源的地方,Vprobe要放置在你想要观察的地方,也就是干扰源可能干扰到的敏感区域。激励源可以是电压源,也可以是电流源。通常我们使用电流源模拟IC芯片工作,作为一个激励源。
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