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在利用SIwave做频率扫描的问题

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1#
发表于 2011-3-22 15:41 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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在利用siwave做频率扫描的时候,据说Vsoure激励源应该放在实际电流输入端,Vprobe放在芯片电压PIN附近.我个人认为应该相反搁置,理由是:芯片才是电源平面噪声的主要来源,有没人同意我的说法?5 I. l4 v/ z9 D3 W8 t2 W

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2#
发表于 2011-3-22 16:15 | 只看该作者
从你的问题看你是用siwave做PI!' s0 l$ p& W8 J/ q: x7 M* ?

/ z; }4 P' V5 I6 i如果是这样的话.用siwave做PI的话一般从2个方面开始做- a4 l0 ?6 `' I5 r$ b) ?1 w2 D( u  F) `
1.是谐振分析
4 H( ~2 Q" a5 Z% b% j3 ^: V2.是阻抗分析.4 d" @7 {. \  F

9 Z$ j. C6 @# H% i1 f. i还有你指出的是电源平面一般是信号的噪声源,我们一般从字面上理解没问题.
8 Q; E6 N& b' M" r' J. K+ {& F但实际上电源平面除了有自生无法消除的ripple.还有高速数字信号的跳变引起的SSN等.
/ \  M( J0 X% E  ]+ E# v这些都是构成电源平面不完整的主要因素.并且都是由外部因素引起的." g' I' k1 b9 y. [

4 f  Y! [* ^- }

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3#
发表于 2011-3-23 09:59 | 只看该作者
频率扫描是为了观察该激励源对系统其他部分的耦合,所以激励源应放置在板子上可能是干扰源的地方,Vprobe要放置在你想要观察的地方,也就是干扰源可能干扰到的敏感区域。激励源可以是电压源,也可以是电流源。通常我们使用电流源模拟IC芯片工作,作为一个激励源。
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