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灵动微MM32SPIN160C采用高性能为内核为M0的32位微控制器,5V输出的LDO稳压器、三组具备有自举二极管的N通道半桥栅极驱动器。mcu的工作频率最高可达72兆赫兹,内置SRAM高速存储器,丰富的增强型I/O端口和外设连接到外部总线。MM32SPIN160C产品包含1个12位的ADC、1个比较器、1个16位通用定时器、1个32位通用定时器、3个16位基本定时器、1个16位高级定时器。还包含标准的通信接口:1个I2C接口、1个SPI接口和1个UART接口。MM32SPIN160C产品提供QFN32封装形式,该产品适合于三相永磁无刷电机和电动工具等多种应用场合。灵动微电子代理厂商可提供产品应用解决方案支持.
u- @% N1 J1 r0 ]" |+ [4 S1 u1 r3 f
( S, Y, `3 z; N* l( kMM32SPIN160C特征
) \. M) O: h& b3 T•内核与系统5 A6 \5 ^, @3 [4 l ?! L4 v0 g
–32位ARM®Cortex®-M0处理器内核
7 w9 J1 X. {8 d& A' W–最高工作频率可达72MHz
/ r1 j5 S7 a+ S4 y, q5 H8 h–单指令周期32位硬件乘法器6 x5 L4 w" @3 @
–硬件除法器(32Bit)5 \! f X% J4 y) }7 W
–单指令周期32位硬件乘法器
^. }2 w3 d, {4 N4 H- |5 o•存储器, i$ L0 q7 o$ H7 M
–高达32K字节的闪存程序存储器
# H; \7 q5 N% T: s–高达4K字节的SRAM4 I- O {9 \) v- ]' h$ K
•时钟、复位和电源管理
, i3 t6 s9 T G& H6 a7 P6 `- {–2.0V~5.5V供电
- m4 P3 |( p7 U$ M3 f–上电/断电复位(POR/PDR)、可编程电压监测器(PVD)) S1 j3 A5 E/ Q; I' ?
–外部2~24MHz高速晶体振荡器
. S9 q; d; y+ \: ~4 H9 u8 G–内嵌经出厂调校的48/72MHz高速振荡器& f9 p* U$ g V4 K( i7 h1 C( U
–内嵌40KHz低速振荡器
5 x2 Z8 [6 R' n0 {5 R( J•低功耗
9 X$ k4 m. A9 F; `4 P" _–睡眠、停机和待机模式+ N! m/ t8 \& P# q8 B) R8 @4 _- b
• 5V LDO 稳压器
! @* E6 o/ C; K4 o– 输入电压最高13.5V
0 D- \( e# F- }$ M4 m4 y, m5 p• 三组N 型半桥式栅极驱动器(GATE-DRIVER)
8 q1 `+ s' y4 `4 n6 E# C– 三相栅极驱动器
1 F1 D0 S% n$ m- P' ~; J- t– 支持电压UVLO 保护
5 l% e$ j. N' H– 1A/1A SINK/SOURCE 三相栅极驱动电流
5 ^6 t- P: c! U2 ]2 p• 96 位的芯片唯一ID(UID)3 ]+ X! l( w6 ~) O& `' _
• 采用QFN32 封装# M: E" `" s& v* N# r
5 K, ]; z# j2 V" ~7 t3 f
MM32SPIN160C引脚
5 \: T i" _$ A
6 g; z! Q A( F, z( J
: h# W" o; T4 l6 u2 l; X内置的SRAM
5 M5 N1 }" s( m) O% s* E内置最大可到4K字节的静态SRAM。
+ a: `! D3 B- q它可以以字节(8位)、半字(16位)或字(32位)进行访问。SRAM起始地址为0x20000000。
/ {2 x0 K1 ~/ V6 E+ D•数据总线上最大可到2K字节的SRAM。可以被CPU或者DMA用最快的系统时钟且不
) R+ O4 B- B A$ C$ {插入任何等待进行访问。
& l1 |' u, w$ E3 O/ U2 _ 8 X) D0 @" T/ l
闪存主要特性
" L' C# r! D- @, l' F•高达32K字节闪存存储器
* n9 ^$ u) K+ a9 z3 f' f0 p闪存接口的特性为:
% o* w1 E1 V3 o* N* j: l1 Z•带预取缓冲器的数据接口(2×64位) h( \, R1 E+ k& B# v& W
•选择字节加载器
6 Q5 F/ a0 g3 i0 F•闪存编程/擦除操作
- p/ c1 N: L _•访问/写保护1 P& f7 Y5 n; m, h2 V2 R9 l
•低功耗模式
# ^5 S. P2 a) g! a 6 @! c* e, O! w7 }) c& r
FLASH读操作& a' D: K& O2 L& L
嵌入式Flash模块可以像普遍存储空间一样直接寻址访问。任何对Flash模块内容的读操作都须经过专门的判断过程。
4 z+ Y( v% \9 M+ Q取指令和取数据都是通过AHB总线读取访问,能够按照Flash访问控制寄存器(FLASH_ACR)中得选项所指定的方式执行:
- {# N: X' Q" X k3 P) | W•取指:预取值缓冲区使能后可提高CPU运行速度. N" _9 T+ u. Y7 N1 B
•潜伏期:等待位的个数,保证正确的读取。
w* f- }! f) V, N, z& V z+ ~! ~6 s: A( B% K# Q" y
- P* P* F' s# i; O1 ^+ H5 ~规格书下载* T0 ?5 d/ Y- U
DS_MM32SPIN160C_qa_V1.01_SC.pdf
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