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EDA365电子论坛网»电子社区 › 研发技术版块 › 硬件设计讨论 › MOSFET、 IGBT为什么会烧掉？
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楼主: jacky401
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MOSFET、 IGBT为什么会烧掉？

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哏啾啾儿小超人

该用户从未签到
121#
发表于 2021-6-25 18:10 | 只看该作者
" B7 k/ ?& _! \7 |' v
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月色
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    [LV.1]初来乍到
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    发表于 2021-6-29 08:59 | 只看该作者
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    发表于 2021-8-6 11:26 | 只看该作者
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    yuio

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    126#
    发表于 2021-8-6 11:41 | 只看该作者
    " Z. B: q. `0 l( [( ]/ i$ g2 T
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    Hmilylyl
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    [LV.7]常住居民III
    128#
    发表于 2021-9-2 06:51 | 只看该作者
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    “来自电巢APP”

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    jkokomo
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    [LV.8]以坛为家I
    130#
    发表于 2021-9-3 14:02 | 只看该作者
    曾经没注意就遇到这个问题，改了电容才解决

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    moonford
  • TA的每日心情
    开心
    2021-9-4 15:21

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    [LV.1]初来乍到
    132#
    发表于 2021-9-4 11:07 | 只看该作者
    Mosfet、IGBT是有导通电阻的，如果过压/过流在管子上产生的功率也会很大，导致烧掉
    0 l. h% L* J" y1 k3 \  L+ X8 D9 s9 l& @

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    群山荟萃nice

    该用户从未签到
    135#
    发表于 2021-9-6 10:29 | 只看该作者
    xuexiyixia

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