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MR25H10CDFR MR25H10CDF,EMD3D256M16G2-150CBS1R 存储器IC

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  • TA的每日心情
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    [LV.9]以坛为家II

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    发表于 2020-10-20 11:39 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    型号:MR25H10CDFR  MR25H10CDF和EMD3D256M16G2-150CBS1R
    * {' k/ v/ E3 s# w产品类型:非易失存储器
    ' n. {# a8 E. Z* S明佳达供应MR25H10CDFR  MR25H10CDF,EMD3D256M16G2-150CBS1R 存储器IC,全新原装,实单价优,欢迎广大新老顾客朋友前来咨询下单。
    + L+ v% T: d% z% X1、MR25H10CDFR  MR25H10CDF 非易失存储器) S/ G6 c1 w: z0 v
    规格
    / A. I$ H% L  ?存储器类型:非易失% N, G. a% V. J  m! J2 Y
    存储器格式:RAM$ L+ r, H5 P* e
    技术:MRAM(磁阻式 RAM)
    ' Z8 C* E, D) D6 L. D存储容量:1Mb (128K x 8)
    ) A& W- g/ i; Z  S1 p% F存储器接口:SPI2 s4 y  g& q* n. E, T% }
    时钟频率:40MHz9 |! s; [, A: Z8 Y& B, M- E
    写周期时间 - 字,页:-8 A# m: b  _) ^) J+ s3 m
    电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
    ! r! p8 A2 q7 u工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)8 b% {$ D0 H( j
    安装类型:表面贴装型
    4 c/ r* i# y9 B封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘
    & h7 Y% L; E3 ^3 k7 J供应商器件封装:8-DFN-EP,小标志(5x6)
    / i: A) n2 E& U( A% w' q( T( W4 x+ B& l9 R
    2、EMD3D256M16G2-150CBS1R  存储器IC
      X/ W# c9 I* r( U9 f产品种类:磁阻随机存取存储器 (MRAM)
    5 c, h; k+ j% l3 g8 T封装/箱体:BGA-96$ ~( U) U/ Q0 t9 u5 n
    存储容量:256 Mbit; M4 S5 C1 p) x1 l* v( F
    组织:16 M x 16
    : G. e& M1 {* c+ @# ?! M5 p# q) D' N数据总线宽度:16 bit$ V9 v( \- y6 q. x
    电源电压-最小:1.425V. Y7 z. ~' _( M* w: F* w
    电源电压-最大:1.575V, C5 i8 t* k8 Z1 Q8 B  f" p
    工作温度:0℃  -  +85℃* x* \1 L% t" R- m: {$ U! _( d" o
    系列::EMD3D256M( X, ^0 V' w! w( J' j/ v
    1 M/ `7 Q6 J, c
    声明:本文中所附带的产品规格资料均来源于网络,内容非原创,仅供参考。如有不妥之处,欢迎指正告知,我们将会迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的损失。
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