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供应全新 IRKT26-06 晶闸管、SPW47N60C3 晶体管 、FP50R12KT4G IGBT晶体管模块

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    发表于 2020-10-16 14:58 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    深圳市明佳达电子公司   长期供应  全新原装  IRKT26-06 晶闸管、SPW47N60C3 晶体管 、FP50R12KT4G IGBT晶体管模块  质量保证   价格实在   库存充足  有意者欢迎致电咨询
    + b$ N; N  y" X  ^4 U3 |! W
    ' y* e/ E1 b; ~$ f9 j$ `产品参数:; N' R! T; N: Y0 `4 Z* R
    一、IRKT26-06 晶闸管 - SCR - 模块:% w4 @3 s9 }6 w& c7 W
    结构        串联 - 全部为 SCR
    % f  L7 t+ Y' d( R- @# R& rSCR 数,二极管        2 SCRs4 A$ R+ h0 O6 E) C( L* J/ X+ X$ Y: o
    电压 - 断态        600V
    2 m$ I) Q9 {) N/ I: _电流 - 通态 (It (AV))(最大值)        27A
    $ [/ K: H" h/ _* s% \6 Q1 t+ X0 w电流 - 通态 (It (RMS))(最大值)        60A: I4 r3 c& F4 N( c. s
    电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值)        2.5V
    + g/ }; ]0 G# S4 F  a* L电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值)        150mA1 d4 s7 a1 `7 g  D- Y) p# l- J
    电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)        400A,420A* @2 w9 r4 J( }( I; \
    电流 - 保持 (Ih)(最大值)        200mA( \% _0 ]1 v* x2 Q. F! _
    工作温度        -40°C ~ 125°C (TJ)
    $ \! t7 v) S# h9 b* y" ]( r安装类型        底座安装1 Q& _( S2 I, r* `4 o) d1 B
    封装/外壳        ADD-A-PAK(3 + 4)/ t1 s1 ^2 l( K: S$ {3 ~
    8 E$ L, }0 y3 b) I

    * `# v; g+ z0 p7 B二、SPW47N60C3 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 :* e/ `: Q2 A) u; f; @0 s
    FET 类型        N 通道
    & M8 w+ [# \1 g技术        MOSFET(金属氧化物)( m# n. Q. b4 W) F
    漏源电压(Vdss)        650V
      a5 ]" f! v. Z5 Q. F25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)        47A(Tc)" [0 I6 ~( a; A
    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)        10V4 G3 N% F6 ]+ c% d# p1 y
    不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)        70 毫欧 @ 30A,10V& B, b+ P6 u" N7 h1 ]6 }9 L
    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)        3.9V @ 2.7mA0 u6 J3 R; Y) Y- ]+ O. ^/ p& \; m" C
    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)        320nC @ 10V: O5 ?, t& h/ G, O: ], |' `
    Vgs(最大值)        ±20V; E0 i5 B3 N$ Q0 s* H$ V9 D
    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)        6800pF @ 25V
    , X* o( ^: C. U- f" T1 P$ g9 DFET 功能        -
    7 x7 [- w4 j4 P功率耗散(最大值)        415W(Tc)
    1 ?& K! Y* F' f: b, _* K工作温度        -55°C ~ 150°C(TJ)
    & P% q# ?5 I7 D6 P* t! Q) d安装类型        通孔7 g! {, R* H. O7 E7 d
    供应商器件封装        PG-TO247-3
    1 R7 P3 g3 y5 o" y- y, f2 v封装/外壳        TO-247-3" P  o: P2 a- [* A

    . O) N8 K+ {+ n2 Q, c& P
    ) t/ J% h( r2 {2 J' w三、FP50R12KT4G IGBT晶体管模块:
    * Z1 ]: F) S' \! b; hIGBT 类型        沟槽型场截止
    9 f* y% j- p6 k配置        三相反相器( \% c/ Z6 l9 h( _! x
    电压 - 集射极击穿(最大值)        1200V
    % e# l* c5 W  v9 w0 C电流 - 集电极 (Ic)(最大值)        50A
    1 V( [0 ^4 l& `' B功率 - 最大值        280W3 p+ w( Z8 h; C; W& J
    不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)        2.15V @ 15V,50A% b% ?- M: R) e5 N! ^. ^, s  s
    电流 - 集电极截止(最大值)        1mA- |% Z# P( p+ ~' f
    不同 Vce 时输入电容 (Cies)        2.8nF @ 25V
    % W: S8 Y& z! ~; U. }输入        标准
    ' ~' o* Y# j7 q+ q; h) m: X# @NTC 热敏电阻        是
    + o1 D& R7 p, @3 {$ t/ u2 m工作温度        -40°C ~ 150°C
    - |! ?7 j5 l- Y) d- E# z5 x- U安装类型        底座安装
    6 e% n! U7 J4 V- X9 i封装/外壳        模块
    ) l6 Y! s! h/ t供应商器件封装        模块
      J- I$ G# l! q, |$ s0 R
    % u3 c( j6 h, e1 j( M# r
    + w3 f4 E/ y4 L公司还长期供应以下型号:
    ! y3 \1 R& |) |' }) ], e: YIRKT26-06
    ; q3 Q- f. L8 `( yQM120DX-H
    0 f1 Q+ c+ d9 x% i% v  E- N5 x: \' cHD6437065AA21FV; d; @! I4 ]* y. `% j
    5-353480-49 I& M1 ?5 a$ N
    FX6A-50P-0.8SV1
    # X/ v2 M+ v6 b% B- M8 w% lL9437  [5 q0 p; Z" ?
    ICE65L04F-TCS63I
    1 |( s, j+ R1 D! x7 c7 [MY2-02  48VDC
    ' v) a* w5 v, o3 YMY2-02  24VDC
    ; `% i" c" O) f( \5 Z4 {% N% QTLV62090RGTR, Q+ g' c% \( U. s+ J1 U
    SPW47N60C3$ C) `+ H6 q4 ]7 l  ?' z
    4 ^/ l3 o6 l0 r) _/ u9 {
    BTA416Y-800B
    1 m6 t+ p1 r( `8 M7 A( _LM98510CCMT% W8 Q8 p# b7 ^( ?  Y- C
    FP50R12KT4G
    * @. Y4 o( X+ M( TS25FL008K0XMFI040, p& ^) e0 Y5 c& i$ V
    MX25L5121EZUC-20G! j* V# f# _' r! k/ m6 D

    6 D8 g7 W5 `5 p! i$ ~# M3 ^' N- i0 e7 m6 V9 A. M
    以上型号均为深圳市明佳达电子公司长期现货供应产品,价格方面由于浮动不一,请以当天报价为准,有兴趣的商友,欢迎来电联系我们,我们将竭诚为您服务!!!
    3 r! Y2 v) l0 ?1 {, R5 `' V6 t2 y+ v0 f: _6 _, v. ?! r7 i# K, J
    以上产品资料信息均来源于网络,内容非原创,仅供参考。如果所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开和传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
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