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手机充电电端口过压保护 瞬变二极管TVS DCSD18-H的参数: 封装:SOD-323 电压:18V 钳位电压:VC30V IPP = 13A (8 x 20μs pulse) 容值:80pF 功率:400W DCSD18-H的特性: 1、依据(tp=8/20μs)线路,峰值脉冲功率为400W 2、保护一个I/O线或电源线 3、低钳位电压 4、工作电压:18v 5、低漏电流:0.5uA 6 、IEC61000-4-2(ESD)±15kV(空气),±8kV(接触) 7、IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ηs) 8、IEC61000-4-5(Lightning)13A(8/20μs) 在手机充电电路提供过压保护方面,即有分立的解决方案,也有集成的解决方案。在分立式解决方案方面,其中之一就是考虑到远高于6 V 的电压情形,如静电放电(ESD),其瞬间的应力电压可能高达几千伏甚至十几千伏,这种情形下,可以施加瞬态电压抑制器(TVS)二极管,以此处理瞬变极快的过压故障。 常州鼎先电子有限公司
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13775299578邢思前 专业生产瞬态抑制二极管阵列 TVS ESD Array SOT-23|TVS二极管阵列 DFN2510|TVS二极管阵列 SOD-323|ESD静电抑制器 SOT-23-6|TVS二极管阵列 DFN1006|ESD静电抑制器 SOD-523|ESD静电抑制器 SOD-923|ESD静电抑制器 SOP-08|TVS二极管阵列 SOT-143|TVS二极管阵列
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