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并联一个1M的电阻晶振旁起到什么作用?

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1#
发表于 2010-11-24 08:38 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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并联一个1M的电阻晶振旁起到什么作用?" L& ^: @# K8 I* l: v( i
我今天到一个客户那里跳板子,原先我们的参考电路图上面是有这个1M电阻的,客户处于某种原因的考虑,将这个1M电阻去掉了。- x+ M. A; m: r% D' d' v6 f' E
下完程序后,在有1M电阻的板子上面,马上就可以运行程序,而在没有1M电阻的板子上,要过很久程序才开始运行。
" [9 E# ^  Z; _7 o  g* ^% A看来是这1M电阻影响了晶体振荡器的起振时间。3 Y' f' h# g7 Y3 F8 L4 X/ o
但这个1M的并联电阻到底起到什么作用呢?7 a, `- D+ c, b! k7 N6 u+ `; Z4 p
有人说防止晶体停振,但到底是什么更有说服性的原因呢?

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2#
发表于 2010-11-24 18:19 | 只看该作者
回复 m2866001 的帖子( U' ]# g# H- _; g1 m' Q. A- K
1 e  k* H% F7 O2 }8 W' U
增加了晶体的负载电阻R,根据品质因数的定义Q减小了,那么选频系数变大,相当于频带变宽吧,起振应该更容易

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3#
 楼主| 发表于 2010-11-25 09:24 | 只看该作者
谢谢
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