替代12N60场效应管在高压H桥PWM马达驱动中使用的12Amos管！

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电子工程师都知道电机驱动采用N沟道MOSFET构建H桥驱动电路，而H 桥是一个典型的直流电机控制电路，它的电路外形酷似字母 H，故得名叫“H 桥”。由命名即可可知，MOS管对于高压H桥PWM马达驱动意味着是其“生命”，目前这款产品常会用FQP12N60型号参数来应用。



由于FQP12N60是一款国外mos管型号，在全球化形势不明朗的商业状态下，各个电子厂家均在强化国内的器件供应商库，建立国内优质的MOS管产品供应商也是高压H桥PWM马达驱动厂家必要的事情。在国内场效应管市场中，飞虹的FHP12N60型号N沟道增强型高压功率MOS场效应管即可跟FQP12N60型号参数进行对标。
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8 d6 k' B! x# \( {目前市面上除了常见的FQP12N60型号会应用在高压H桥PWM马达驱动上外，还有TK12A60U的MOS管在应用，如果说要建立国内优质的供应商则更推荐使用飞虹电子的型号：FHP12N60，高耐压、质量好。
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6 |& e0 v& X' r# |1 r) z, {这款FHP12N60除广泛应用于高压H桥PMW马达驱动，还常用于AC-DC开关电源、DC-DC电源转换器场景中，为N沟道增强型高压功率MOS场效应管，在使用方面是不仅能匹配型号为FQP12N60的国外场效应管，还能代用TK12A60U型号的场效应管。

这款FHP12N60的特点是12.0A, 600V, RDS(on) = 0.8Ω(max) @VGS = 10 V低电荷、低反向传输电容开关速度快。

# T: U, H8 r6 k& G& [: |& r3 jFHP12N60的主要封装形式是TO-220/TO-220F，脚位排列位GDS。这款产品参数：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：12；BVdss（V）：600。
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作为一家高新技术企业，飞虹自2008年至今，共获得实用专利及发明15项，并与中山大学、中科院合作研发GaN器件。飞虹产品已经在开关电源、逆变器、电动车、LED照明、家电、锂电保护、电机控制器获得广泛应用，帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。
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替代12N60场效应管在高压H桥PWM马达驱动中使用的12Amos管