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电容失效方式分布：电容大部分是以短路形式失效的，特别钽电容，要特别注意。
' b- u( B8 b; F- k6 U0 `4 k- }
" ?7 y$ b u8 J电阻：电阻以开路为主，混合物电阻一般为分立的电阻，薄膜电阻为SMD表贴电阻% e& `$ o/ M" ?" h9 C! M( `
9 J5 I' r! h3 T1 k' B# U! ~0 ~3 z$ [1 e5 M
* x( \. C; n+ j4 ?. K
继电器，线圈，变压器* ?# }0 h6 W9 R6 r3 w5 Q
9 D: a" u2 B& w$ y+ O6 ~7 V% X
% _+ A# N& n( Q8 Q* ^& U0 w0 K/ ^8 j
二极管：短路为主。# [; Z6 L {& Z" L: d% @ b
# M! K( L) N9 N. A. }. T# [' s6 H
. l. E" E' {1 d: {: X% t8 }
三极管和Mos管：三极管与JFET类似，和MosFET截然不同。4 s, C* y! X' d4 [( F
$ ?2 L, b" }! O/ ?2 _( W: R$ q# {4 `
3 f/ B, R9 [. P$ F电池5 U6 ]$ D& m- d
: g& C) g2 l, g: C# K# V
& s& E6 R' o' P o/ i: E1 P! d7 J% [- [; i* h4 [) z7 Z) o
其他元件
: A* A8 e2 C. q# l
+ @% g* L' i3 a
" }1 J" \5 u; b1 S b+ m/ V' J* h$ t3 v z! a
上面没有的，参考下面的表格：元器件失效模式分布
5 I5 L3 {6 T: P
/ D2 }+ W' I* |
S- J5 n0 V2 F0 N5 X6 H G( d; F9 R: V
$ F! q. t" c- }% V) I
( `* N" a8 k5 q @! F6 r |
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发表于 2020-9-21 13:59
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