TA的每日心情 | 擦汗 2022-5-4 15:52 |
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签到天数: 66 天 [LV.6]常住居民II
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深圳市明佳达电子公司 现货供应 晶体管 DMP3017SFV-7 / DMN3404L-7 / DMN6140L-7 全新原装 质量保证 量大价优 有意者欢迎致电咨询
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晶体管 DMP3017SFV-7 / DMN3404L-7 / DMN6140L-7 :
8 q, V8 {. x! j9 A+ l! P品牌:DIODEOS/ C, D' r$ j2 \+ s! w& d/ b& ]
封装:VDFN-8 / SOT-23-3 / SOT-23
6 X' `" I5 w, @0 X批次:新0 v5 l! u0 _+ o3 t1 m* k
2 o: } B* g6 A5 I
* F6 B+ w& {' q n6 f8 g! ?产品参数:# V6 ?. S8 U' e9 a
DMP3017SFV-7 :- K" H g ~! |: S4 l- V8 P# W
FET 类型 P 通道5 `; ^& r( I9 i3 g, g) y* z
技术 MOSFET(金属氧化物)
) o8 _- [4 j. q$ i漏源电压(Vdss) 30V/ b c) V2 h9 n0 f+ X4 t: ~& K2 Q
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 40A(Tc)
6 d% J/ b8 q1 p- M, Y驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V5 ^$ T" p* f: B; S( F# ]
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 10 毫欧 @ 11.5A,10V
9 C9 m4 Y, N0 V5 I' i1 R8 g不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA/ W" @# }- N. Q
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V8 e5 v8 R) L6 i0 J) l9 Q. z0 m0 T
Vgs(最大值) ±25V
$ H0 w B' x3 e( Z9 [9 f不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2246pF @ 15V6 a) s7 |: B% C+ B
FET 功能 -
( ]% _0 U. J& {* ~, g' u功率耗散(最大值) 31W(Ta)
$ c& |/ ~; E2 _' f工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)- D! U% ~. g! x8 e2 o, W- h
安装类型 表面贴装型# \4 L' X, C- i% c* H' {4 g
供应商器件封装 PowerDI3333-8# I7 ^! E1 y* p# ?2 X
封装/外壳 8-PowerVDFN! m6 e8 l0 |" O) q
- b& t/ U0 _' b* _; o2 @; c
% i9 J! i2 v1 C) F
" K% d! \3 ^9 C# j8 G. jDMN3404L-7 :+ L6 Q2 ~9 k- D( h" C6 V ~' j
FET 类型 N 通道6 G' g/ X: R$ v0 Q# ~
技术 MOSFET(金属氧化物)
3 m0 ~( Z8 [3 j4 M/ ~漏源电压(Vdss) 30V
: }1 n( I" z r ?8 }5 h25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.8A(Ta)3 z, p, B, {2 @% P2 @
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 3V,10V5 L; G% ^5 s3 ]6 I0 h3 p3 M
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 28 毫欧 @ 5.8A,10V1 J2 h4 n" |4 {1 X
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA9 @7 O4 Y! y5 Z' c, r' {( y
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V
% V) `# c. w+ Y4 h, u8 LVgs(最大值) ±20V
" z3 P! ^; d( E不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 386pF @ 15V/ i. ^& q% O2 F! K9 J0 T- y3 w2 n
FET 功能 -
( q) j. @" U- ?* p2 P功率耗散(最大值) 720mW(Ta)1 ]! X# w3 Z- o3 H8 @( |- B
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)3 q# J q1 n# w: b0 e4 s. {1 T
安装类型 表面贴装型
% c L2 z8 k# i供应商器件封装 SOT-23-3
3 g% X' K, l/ ^, F& N: a封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-32 \" C3 d+ a2 w* }. z
7 t( n( b2 ]& w! k# O3 Q
6 X. b& x/ _0 j+ j9 c! W9 z
# B$ P) l7 V) Z+ b1 U1 x$ b9 f: [DMN6140L-7 :! l) q" i0 c. l: B0 d v2 a1 s/ a
FET 类型 N 通道6 X+ c# r7 w$ `. C2 w
技术 MOSFET(金属氧化物): ?$ ]+ N1 ]3 I, E+ \0 n) _
漏源电压(Vdss) 60V" c/ ?: ?' a( a0 K6 H8 h1 X
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.6A(Ta)
* r/ |3 v0 n0 \- ]6 E' S驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V: p' C- O9 a$ F* g5 O6 m
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 140 毫欧 @ 1.8A,10V
* R! |8 ?/ r7 |- i) }- y' ]不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA& j; N! ~- ^& J4 U# Y6 [0 D
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.6nC @ 10V
" M \; u2 \* b; t# N; VVgs(最大值) ±20V
/ j" Z) X" E8 i S不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 315pF @ 40V
, v X& z/ j9 M" p, ]. D# yFET 功能 -
) ^2 I8 ?+ ~; T E8 s2 n功率耗散(最大值) 700mW(Ta)
7 L4 v- f0 J5 g2 ~6 |工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
2 ?1 a$ |- C7 n9 Q安装类型 表面贴装型1 v$ w4 w5 [" \. k3 b
供应商器件封装 SOT-23
8 X" Y* W2 ~) b' h6 l. V封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
# f) G- M# @' W# J- P; z
9 h; U7 G0 q5 u# j4 z J+ a$ g8 l. ^7 O
7 w7 Z& M* u& R- H# T
公司还长期供应以下型号:. Y. b. ~: ~7 Y8 r3 G$ H# }. F# F
L6230QTR1 T# R# w. U7 F+ ^# V" S4 v
NC7SZ14M5X
2 _8 [; A+ x2 d+ G8 yBGU8019
6 `- k7 O, F2 D6 h, R# ~5 _2 J- FRT9069-33GB
9 }. n+ R- g" L4 E% ZTCR2EF30,LM
- |- L: i$ x* ?7 C% I. |' G5 Z! ZDMP3017SFV-7! H/ u* [: c/ F: D/ F: |
MMDT3906
6 `$ A3 w& L7 D/ x! _' X! D0 rG5017B11U/ U/ k3 d" ?! h7 g, B/ A ~& h: K
CY7C65210-24LTXI0 X6 V/ y }" P6 B6 ?9 n
AP2821KTR-G1
9 [) I6 ?" o) A }MBR140SFT1G
4 ?" P3 C3 h9 p: ]) g) b4 [3 ]RCLAMP7524T.TNT
/ ~9 K8 B1 ?# BDMN3404L-7
7 [: W! ~+ n7 X7 a( D( y! @PH0925CL
6 Z3 N. y9 f6 ]! T' [. xPJA3405
9 k2 n6 P9 K4 oNTR1P02LT1G% K5 L1 Y1 B: i; y; y/ H3 P
NSR0130P2T5G" _- u1 `! R3 O' K* B* W+ y' ^
MBT3946DW1T1G
- q: ?/ R( v- R7 u+ H. SNC7SZ175P6X
. n% K6 Y6 Q. w0 g6 j- ]DMN6140L-7
2 r' O M8 X$ L/ A
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$ J1 L- w' c8 Z( N! j感谢您关注我们的产品,价格方面由于浮动不一,请以当天报价为准,有兴趣的商友,欢迎来电联系我们,我们将竭诚为您服务!!!
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