EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
本帖最后由 Zjianeng 于 2020-8-20 14:03 编辑 , y3 h) V" g# t! J' s
% Y! \3 u& l0 P4 m) Q; ]! h“这天气真的太热了,家里的空调都罢工了.叫来修空调师傅一查,竟然是电容器被烫坏了,幸亏没有发生爆炸。”网友在朋友圈里发了一 条微信,并附上一张像两个一号电池大的电容器图片,该电容器的头部原本是扁平的,如今已经高高涨起。这位网友说,因为空调连续工作,再加上空调外机被烈日 灼晒,电容器不堪高温造成的。
+ \' B1 t2 ?4 T! K5 _8 J3 [ 这位网友的微信一发,顿时引来众多网友附和:如今,全国各地开启高温“烧烤”模式已经一段时间,被高温害惨的事情可以说数不胜数。
' A o6 O) f6 \* R6 f, ^ 1.温度变化对半导体器件的影响
. ]$ U, @. l5 O+ F 构成双极型半导体器件的基本单元P-N结对温度的变化很敏感,当P-N结反向偏置时,由少数载流子形成的反向漏电流受温度的变化影响,其关系为:
# y/ Z$ |$ o: l$ w; Q: q
# \1 D# n K6 G1 A 式中:ICQ―――温度T0C时的反向漏电流
( k! v P! @5 {3 b; o. K' m ICQR――温度TR℃时的反向漏电流
3 q: g/ X& Q* ?- u! }- p3 k T-TR――温度变化的绝对值
* j t1 l5 s- M 由上式可以看出,温度每升高10℃,ICQ将增加一倍。这将造成晶体管放大器的工作点发生漂移、晶体管电流放大系数发生变化、特性曲线发生变化,动态范围变小。
' K+ i# |5 ]2 Y j 温度与允许功耗的关系如下: ) I7 y& e: z, D$ G; B1 Y
7 A: M) Q; C9 L& \4 h
式中:PCM―――最大允许功耗
) i1 F+ @7 q% r, ^ TjM―――最高允许结温 3 k8 S% O* ^ s. O
T――――使用环境温度 " y, o# a7 C8 _& Z% l; t
RT―――热阻
; \" @0 T7 o7 D3 [* q! w 由上式可以看出,温度的升高将使晶体管的最大允许功耗下降。 # \. @% w7 v: ?# q1 e
由于P-N结的正向压降受温度的影响较大,所以用P-N为基本单元构成的双极型半导体逻辑元件(TTL、HTL等集成电路)的电压传输特性和抗 干扰度也与温度有密切的关系。当温度升高时,P-N结的正向压降减小,其开门和关门电平都将减小,这就使得元件的低电平抗干扰电压容限随温度的升高而变 小;高电平抗干扰电压容限随温度的升高而增大,造成输出电平偏移、波形失真、稳态失调,甚至热击穿。
; u* A, Z' c" p/ ? 4 n* d' F$ t! p, Z, a
2.温度变化对电阻的影响
! m) T: _4 }; w8 e4 e8 J/ ] 温度变化对电阻的影响主要是温度升高时,电阻的热噪声增加,阻值偏离标称值,允许耗散概率下降等。比如,RXT系列的碳膜电阻在温度升高到100℃时,允许的耗散概率仅为标称值的20%。 2 a+ G9 K: ]" Z Y9 f- v
但我们也可以利用电阻的这一特性,比如,有经过特殊设计的一类电阻:PTC(正温度系数热敏电阻)和NTC(负温度系数热敏电阻),它们的阻值受温度的影响很大。 ! z2 N4 B" y0 B8 Z" z# M8 ^0 \
对于PTC,当其温度升高到某一阈值时,其电阻值会急剧增大。利用这一特性,可将其用在电路板的过流保护电路中,当由于某种故障造成通过它的电 流增加到其阈值电流后,PTC的温度急剧升高,同时,其电阻值变大,限制通过它的电流,达到对电路的保护。而故障排除后,通过它的电流减小,PTC的温度 恢复正常,同时,其电阻值也恢复到其正常值。
" a+ U5 ^* | v5 }+ N/ K2 r 对于NTC,它的特点是其电阻值随温度的升高而减小。 " K" G- [; r2 Q* z, t/ k4 m, {
3.温度变化对电容的影响
4 K) n: W9 B; e/ \* q' U 温度变化将引起电容的到介质损耗变化,从而影响其使用寿命。温度每升高10℃时,电容器的寿命就降低50%,同时还引起阻容时间常数变化,甚至发生因介质损耗过大而热击穿的情况。 ) c5 R* b! ] U3 e7 z/ O T9 ~
此外,温度升高也将使电感线圈、变压器、扼流圈等的绝缘性能下降。 0 y8 L' K$ Q2 t) G: d6 Z3 s
|