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本帖最后由 Zjianeng 于 2020-8-20 14:03 编辑 ) f0 g% I0 E' W, t8 @; `4 H
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“这天气真的太热了,家里的空调都罢工了.叫来修空调师傅一查,竟然是电容器被烫坏了,幸亏没有发生爆炸。”网友在朋友圈里发了一 条微信,并附上一张像两个一号电池大的电容器图片,该电容器的头部原本是扁平的,如今已经高高涨起。这位网友说,因为空调连续工作,再加上空调外机被烈日 灼晒,电容器不堪高温造成的。 - Q$ @! p: l) c. ~
这位网友的微信一发,顿时引来众多网友附和:如今,全国各地开启高温“烧烤”模式已经一段时间,被高温害惨的事情可以说数不胜数。 " C" b: A7 j- G- o# w; D8 ~. [
1.温度变化对半导体器件的影响 i$ e+ R+ J1 x
构成双极型半导体器件的基本单元P-N结对温度的变化很敏感,当P-N结反向偏置时,由少数载流子形成的反向漏电流受温度的变化影响,其关系为:
* `, X* m+ O+ |+ k5 k9 X) W5 R' m8 T9 H8 h5 |- P/ U
式中:ICQ―――温度T0C时的反向漏电流
: |4 Q0 | k% [; E" U0 b$ U ICQR――温度TR℃时的反向漏电流 5 ^3 f6 E: k6 o4 P
T-TR――温度变化的绝对值 ; g3 m9 ?% I$ u7 Q2 y7 Y/ _) q; a
由上式可以看出,温度每升高10℃,ICQ将增加一倍。这将造成晶体管放大器的工作点发生漂移、晶体管电流放大系数发生变化、特性曲线发生变化,动态范围变小。
7 Y7 v" D4 A4 Z. r 温度与允许功耗的关系如下:
! c/ c2 i6 Q) T- w& |' \6 D+ F9 C/ a; |2 ^, V* ~
式中:PCM―――最大允许功耗
% p' Q4 m* W- U% _3 s' x0 } TjM―――最高允许结温
1 |6 x; G$ _: x2 l# c& k T――――使用环境温度
% N3 W! d( I3 |! v2 [ RT―――热阻
) @' L% m) w+ { ^) a* @ 由上式可以看出,温度的升高将使晶体管的最大允许功耗下降。 ) s$ @( R2 Y2 G5 h, Q
由于P-N结的正向压降受温度的影响较大,所以用P-N为基本单元构成的双极型半导体逻辑元件(TTL、HTL等集成电路)的电压传输特性和抗 干扰度也与温度有密切的关系。当温度升高时,P-N结的正向压降减小,其开门和关门电平都将减小,这就使得元件的低电平抗干扰电压容限随温度的升高而变 小;高电平抗干扰电压容限随温度的升高而增大,造成输出电平偏移、波形失真、稳态失调,甚至热击穿。 " t& c5 m! O. f) y7 p
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$ {& i7 @$ c6 H0 O+ F- x 2.温度变化对电阻的影响 % Z! z8 g5 `: n# b
温度变化对电阻的影响主要是温度升高时,电阻的热噪声增加,阻值偏离标称值,允许耗散概率下降等。比如,RXT系列的碳膜电阻在温度升高到100℃时,允许的耗散概率仅为标称值的20%。
7 t x$ J. o/ p t4 E( ` 但我们也可以利用电阻的这一特性,比如,有经过特殊设计的一类电阻:PTC(正温度系数热敏电阻)和NTC(负温度系数热敏电阻),它们的阻值受温度的影响很大。 `9 s( {6 U9 H C
对于PTC,当其温度升高到某一阈值时,其电阻值会急剧增大。利用这一特性,可将其用在电路板的过流保护电路中,当由于某种故障造成通过它的电 流增加到其阈值电流后,PTC的温度急剧升高,同时,其电阻值变大,限制通过它的电流,达到对电路的保护。而故障排除后,通过它的电流减小,PTC的温度 恢复正常,同时,其电阻值也恢复到其正常值。
, f$ ^2 ~5 L: z: J s2 Y 对于NTC,它的特点是其电阻值随温度的升高而减小。 1 J3 n! w' X# P
3.温度变化对电容的影响
% F1 I" M. n4 q% S4 j+ T5 t- y2 n 温度变化将引起电容的到介质损耗变化,从而影响其使用寿命。温度每升高10℃时,电容器的寿命就降低50%,同时还引起阻容时间常数变化,甚至发生因介质损耗过大而热击穿的情况。 4 @# L7 T% e2 J) w' k2 o( r" {
此外,温度升高也将使电感线圈、变压器、扼流圈等的绝缘性能下降。
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