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本帖最后由 Zjianeng 于 2020-8-20 14:03 编辑 ' y9 J" L* k: L6 ^! _+ C5 u
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“这天气真的太热了,家里的空调都罢工了.叫来修空调师傅一查,竟然是电容器被烫坏了,幸亏没有发生爆炸。”网友在朋友圈里发了一 条微信,并附上一张像两个一号电池大的电容器图片,该电容器的头部原本是扁平的,如今已经高高涨起。这位网友说,因为空调连续工作,再加上空调外机被烈日 灼晒,电容器不堪高温造成的。
: d+ j+ [* Y1 S2 O+ L/ v* B" G! j( M4 \ 这位网友的微信一发,顿时引来众多网友附和:如今,全国各地开启高温“烧烤”模式已经一段时间,被高温害惨的事情可以说数不胜数。
8 L5 B5 M: O3 [ 1.温度变化对半导体器件的影响
! @! Q5 h8 w/ O) R) A) ^& V 构成双极型半导体器件的基本单元P-N结对温度的变化很敏感,当P-N结反向偏置时,由少数载流子形成的反向漏电流受温度的变化影响,其关系为: P5 H* I- x. y: l! l: e% G
. F% ?9 m' X) ?2 N+ H0 K 式中:ICQ―――温度T0C时的反向漏电流
! {" I$ N( E* @& D' Y ICQR――温度TR℃时的反向漏电流
' m# U. E, @3 a% W/ S- c T-TR――温度变化的绝对值
; q G& ?% _6 J2 p/ a# n 由上式可以看出,温度每升高10℃,ICQ将增加一倍。这将造成晶体管放大器的工作点发生漂移、晶体管电流放大系数发生变化、特性曲线发生变化,动态范围变小。 % R: R8 e/ z) e7 ~- X; O2 y
温度与允许功耗的关系如下: 2 O+ U- G6 ?# l, ?' H6 I; C
8 ?; f8 n5 {4 D: y y1 C 式中:PCM―――最大允许功耗 ( g, [" e; T; z1 F
TjM―――最高允许结温 5 n# D/ y0 P' F, A2 j. d( j" h
T――――使用环境温度
. B {& e* t8 ]+ m) ~2 U. { RT―――热阻 - i0 h$ @; g+ a; v" c2 Y, s
由上式可以看出,温度的升高将使晶体管的最大允许功耗下降。 ; U7 ~2 y* N! f7 g8 U
由于P-N结的正向压降受温度的影响较大,所以用P-N为基本单元构成的双极型半导体逻辑元件(TTL、HTL等集成电路)的电压传输特性和抗 干扰度也与温度有密切的关系。当温度升高时,P-N结的正向压降减小,其开门和关门电平都将减小,这就使得元件的低电平抗干扰电压容限随温度的升高而变 小;高电平抗干扰电压容限随温度的升高而增大,造成输出电平偏移、波形失真、稳态失调,甚至热击穿。 ! B/ u- Z. P: p' X4 V8 j
' L1 g, C5 `2 S: v8 s6 z 2.温度变化对电阻的影响 ) A: j8 |) V4 |/ ^9 a, Z }
温度变化对电阻的影响主要是温度升高时,电阻的热噪声增加,阻值偏离标称值,允许耗散概率下降等。比如,RXT系列的碳膜电阻在温度升高到100℃时,允许的耗散概率仅为标称值的20%。
9 G8 v0 b K' J' z- I 但我们也可以利用电阻的这一特性,比如,有经过特殊设计的一类电阻:PTC(正温度系数热敏电阻)和NTC(负温度系数热敏电阻),它们的阻值受温度的影响很大。 & t! K4 k" W+ k5 j
对于PTC,当其温度升高到某一阈值时,其电阻值会急剧增大。利用这一特性,可将其用在电路板的过流保护电路中,当由于某种故障造成通过它的电 流增加到其阈值电流后,PTC的温度急剧升高,同时,其电阻值变大,限制通过它的电流,达到对电路的保护。而故障排除后,通过它的电流减小,PTC的温度 恢复正常,同时,其电阻值也恢复到其正常值。
& }. M( `. D8 z3 s1 i* H2 _8 U/ w 对于NTC,它的特点是其电阻值随温度的升高而减小。
- K/ r" w& w T9 s. _8 S 3.温度变化对电容的影响
+ a9 e7 W" L+ Q) |% K1 V6 Z, v 温度变化将引起电容的到介质损耗变化,从而影响其使用寿命。温度每升高10℃时,电容器的寿命就降低50%,同时还引起阻容时间常数变化,甚至发生因介质损耗过大而热击穿的情况。
7 U E( R) ?$ y* X# V 此外,温度升高也将使电感线圈、变压器、扼流圈等的绝缘性能下降。 . S, T d9 T. ?4 g# b- S5 r# z
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