以太网通信防护电路器件选型与说明

DODO1999

以太网通信接口防护电路图LC03-3.3.TBT

静电保护装置, TVS, 18 V, SOIC, 8 引脚, 3.3 V, 1.8 kW, LC03 SeriesSP03-3.3BTG静电保护装置, TVS, 18 V, SOIC, 8 引脚, 3.3 kW,

为实现RJ45网口与以太网PHY芯片间具有高抗ESD和抗雷击保护，一般需要TVS阵列具备如下特点：

1、最大反向工作电压：一般选择2.8V或3.3V即可；

2、高抗ESD能力：至少通过IEC61000-4-2 ESD ±8kV Contact，±15kV Air；

3、高抗雷击防护能力：至少通过IEC61000-4-5，level2（lighting），100A（tp=8/20μs）；

4、TVS阵列建议采用直通式设计：避免使用90°角和过孔造成差分阻抗改变，进而影响数据传输的完整性；

5、低的结电容

双通道TVS阵列LC03-3.3BTG，最大反向工作电压为3.3V，信道走线采用“直通型”设计结构，低至4.5pF典型I/O线-线间结电容，低至9pF典型I/O线-GND间结电容，每个器件均可保护2个信道或1个差分线对，工作温度范围-40℃~125℃，典型电性参数参考如下图3所示双通道TVS阵列LC03-3.3BTG理由如下：

1、高抗雷击防护能力：相比同类竞争产品（如L2KE3V3K8-2S）具有高抗雷击防护能力，通过IEC61000-4-5，level2（lighting），130A（tp=8/20μs）；

2、高抗ESD能力：可以安全地吸收在IEC 61000-4-2国际标准（4级，±30kV接触放电，±30kV空气放电）中规定的最大水平的重复性静电放电，而不会降低性能；

3、典型I/O线-线间结电容低至4.5pF、 典型I/O线-GND间结电容低至9pF，有助于维护信号完整性，并最大限度地减少数据丢失，同时提供免受电气威胁的更强大设备；

4、5.0mm x 6.2mm SOIC-8封装，可在高达±30kV/Air，±30kV/Contact ESD的条件下保护1个差分数据线对（2个通道），单机用2颗，可以大幅度节省PCB板空间，有利于产品小型化设计需求；

5、走线采用“直通型”设计结构，可保障信号完整性、减少电压过冲并简化印刷电路板设计

1.1.

表1 以太网通信防护电路器件选型与说明

标号	器件	型号	作用
GDT1、GDT3、GDT4、GDT6	气体放电管	SL1411A075A	一级共模防护
GDT2、GDT5	气体放电管	SL1411A075A	一级差模防护
R1、R2、R3、R4	功率电阻	R/2W	退耦
TVS1、TVS2	TVS管阵列	SP03-3.3	二级差模防护
U1、U3	TVS管阵列	SP4062	三级差模防护
PGND			防雷地

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