低电容值TVS阵列SLVU2.8.TCT SLVU2.8-4TB SLVU2.8-8.TB，可以保护千兆以太网设备。

DODO1999

低电容值TVS阵列SLVU2.8.TCT　SLVU2.8-4TB　SLVU2.8-8.TB，可以保护千兆以太网设备。 　
4 |5 M( D6 s5 j! d4 }' @. I  f+ b8 `可以使其达到IEC61000-4-2和IEC6100-4-4，和IEC61000-4-5的要求。目前推出的产品型号SLVU2.8（SOT-23）、SLVU2.8-4（SOP-8）分别为单路，和四路保护。典型应用包括如：在10/100M以太网RJ45数据线，视频信号线等ESD保护。 　
SLVU2.8-8系列旨在保护低压CMOS设备免受静电放电和雷击感应电压瞬变的影响。 每个低压瞬态抑制二极管都有一个与之串联的补偿二极管，可为受保护的线路提供低负载电容。 根据IEC61000-4-2标准，该稳定结构可以在±30kV（接触放电）条件下安全地吸收反复性ESD冲击，并可在极低的箝位电压下安全地耗散高达30A（IEC61000-4-5，tP=8/20μs）的波形浪涌电流。
功能与特色:
超强浪涌保护，峰值脉冲功率:750W
每条线路的（标准）电容低至2.6pF
% {  j& S* o+ |! c增强的ESD保护能力:ESD、IEC 61000-4-2、±30kV（接触放电）
动态电阻（RDYN）低至0.3Ω（标准）

/ f' A3 g, x  h  Q, m应用:
10/100/1000以太网设备
* k% |% u" X' |/ l+ S7 c: @. h局域网/广域网设备
开关系统
台式电脑、服务器和笔记本电脑
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专业生产瞬态抑制二极管阵列 TVS ESD Array
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SLVU2.8-8系列旨在保护低压CMOS设备免受静电放电和雷击感应电压瞬变的影响。 每个低压瞬态抑制二极管都有一个与之串联的补偿二极管，可为受保护的线路提供低负载电容。 根据IEC61000-4-2标准，该稳定结构可以在±30kV（接触放电）条件下安全地吸收反复性ESD冲击，并可在极低的箝位电压下安全地耗散高达30A（IEC61000-4-5，tP=8/20μs）的波形浪涌电流。