STM32F4驱动外部SRAM芯片XM8A51216

英尚微电子

星忆存储为电子工业提供新一代的高性能、高密度、低功耗、低成本的存储器产品。专注于XRAM产品开发设计，提供低延时，低功耗和免刷新动态随机存储器产品致力于通过创新型存储技术商业化、产业化的过程，带动国产存储芯片的底层技术攻关和相关科研工作，从而推动国家存储芯片设计前端产业变革和更进一步的发展。接下来星忆代理商英尚微电子介绍STM32F4开发板STM32F4如何驱动外部SRAM芯片XM8A51216。
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8 E# M4 t* K9 M+ ?( GSTM32F407ZGT6自带了192K字节的SRAM，对一般应用来说，已经足够了，不过在一些对内存要求高的场合，STM32F4自带的这些内存就不够用了。比如跑算法或者跑GUI等，就可能不太够用，所以STM32F4开发板板载了一颗1M字节容量的SRAM芯片，XM8A51216，满足大内存使用的需求。我们将使用STM32F4来驱动XM8A51216，实现对XM8A51216的访问控制。
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XM8A51216简介
) @- v/ I5 U. {6 j: S# XXM8A51216是星忆存储科技公司生产的一颗16位宽512K（512*16，即1M字节）容量的CMOS静态内存芯片。该芯片具有如下几个特点：
( @$ o$ R6 K6 A7 f⚫高速。具有最高访问速度10/12ns。
⚫低功耗。
⚫TTL电平兼容。
⚫全静态操作。不需要刷新和时钟电路。
' |  Q6 C6 m2 ^( @) n$ v⚫三态输出。
⚫字节控制功能。支持高/低字节控制。
XM8A51216的功能框图如图1所示：

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图1 XM8A51216功能框图

图中A0~18为地址线，总共19根地址线（即2^19=512K，1K=1024）；DQ0~15为数据线，总共16根数据线。CEn是芯片使能信号，低电平有效；OEn是输出使能信号，低电平有效；WEn是写使能信号，低电平有效；BLEn和BHEn分别是高字节控制和低字节控制信号；STM32F4开发板使用的是TSOP44封装的XM8A51216芯片，该芯片直接接在STM32F4的FSMC上，XM8A51216原理图如图2所示：

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9 {& ?9 |, K, T: y! C# @图2 XM8A51216原理图

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5 Q" r9 H, O. e, {6 K从原理图可以看出，XM8A51216同STM32F4的连接关系：
6 i& `0 H/ x0 R) L6 S- A! \A[0:18]接FMSC_A[0:18]（不过顺序错乱了）
D[0:15]接FSMC_D[0:15]
UB接FSMC_NBL1
LB接FSMC_NBL0
OE接FSMC_OE
6 A% g3 s- A/ ?+ J+ u- QWE接FSMC_WE
CS接FSMC_NE3
上面的连接关系，XM8A51216的A[0:18]并不是按顺序连接STM32F4的FMSC_A[0:18]，不过这并不影响我们正常使用外部SRAM，因为地址具有唯一性。所以只要地址线不和数据线混淆，就可以正常使用外部SRAM。这样设计的好处，就是可以方便我们的PCB布线。
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规格书下载
- K+ E& F) Y: W$ m* w XM8A51216V33(8M).pdf (719.73 KB, 下载次数: 0)

2020-7-1 15:32 上传

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英尚微电子

XM8A51216是星忆存储科技公司生产的一颗16位宽512K（512*16，即1M字节）容量的CMOS静态内存芯片。该芯片具有如下几个特点：
⚫高速。具有最高访问速度10/12ns。
! n5 J: R1 b! ~/ L⚫低功耗。
⚫TTL电平兼容。
1 [" \. {% e8 a2 _⚫全静态操作。不需要刷新和时钟电路。
' x, G" H  j9 ^3 Y⚫三态输出。
⚫字节控制功能。支持高/低字节控制。

行者～ABC

192K字节的SRAM，肯定够用了