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1、BGA(ballgridarray)/ c! L% Z7 e! g) B. ?6 D4 E
球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。
8 z8 }& j- L' o/ z% |* `% ^ 封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。
1 Y) }) w1 K3 _6 S1 \+ C( G 该封装是美国Motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA的引脚(凸点)中心距为 1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。. v' q5 s8 e) U# E# l9 ?3 \, G
美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。 9 i& d" U) H% r8 \: f
: d+ V* W; F& w! X
* R2 i" b2 Q% \4 w5 \5 d6 f% F
, s% P. F: S: S6 e 2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)
1 r( R: t1 r5 W: e 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用
( C1 a8 D+ R4 |4 }' [) s 此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右(见QFP)。
+ V" c- E2 m. O 3、碰焊PGA(buttjointpingridarray)
( x G# H @4 s- c 表面贴装型PGA的别称(见表面贴装型PGA)。3 C# r5 w, C z" |- I4 D4 R+ f. @
4、C－(ceramic), i2 d5 A. y' d5 B0 h4 [
表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。: Z. L: }9 R: x) y w
5、Cerdip
5 `1 }* w, v% v' ] X# _+ ~) m% S 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECLRAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G即玻璃密封的意思)。
' {2 t+ G4 ]$ s3 y 6、Cerquad: J- ?3 S% A# u3 s2 [* K2 t
表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、 0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。
/ b! E& g' t4 {8 F9 N 7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)) }* Z6 M2 f& d; @
带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。
+ d. j4 s! L& ^. q3 o# U 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。* g& E9 _- @" z1 ~! c
8、COB(chiponboard)
- I5 i c( U2 B D* K 板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。
& i) T* t/ g% e; K4 R 9、DFP(dualflatpackage)
: R$ T4 ?. m- R5 U 双侧引脚扁平封装。是SOP的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。
' b# b( s! g; B. { 10、DIC(dualin-lineceramicpackage)8 Y. ]3 U, l& M ^$ l1 N" [: i
陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).' R% v4 C6 i; l- w; l0 g% b: R1 J
11、DIL(dualin-line)
( X) m2 H9 ~4 p$ p: b DIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。4 `+ h! |7 J6 n- m
12、DIP(dualin-linepackage)' Q4 M A3 L2 Q' j/ {) a7 e! G
双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器 LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为 skinnyDIP和slimDIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为 cerdip(见cerdip)。
, z+ D9 ^' Q1 Z, G 13、DSO(dualsmallout-lint)( o% }* M2 |2 b+ z- o
双侧引脚小外形封装。SOP的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
$ x2 [2 e$ j$ b# d9 f- r a# v6 [; l 14、DICP(dualtapecarrierpackage), y6 |% b2 H, `5 p7 b
双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利
$ {' n5 ^! {8 G! `! H e 用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定，将DICP命名为DTP。
* {3 |$ p7 @. \" Z% u5 p0 Q' `: M) G 15、DIP(dualtapecarrierpackage)
1 a9 H9 W* w( C1 S6 f/ T4 P$ I 同上。
; y: U: U) A6 o! Q* I9 e* E 日本电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。: ^ g7 Y# T, @9 u+ r- s5 j
16、FP(flatpackage)
; ?# Q( y0 V- v$ \2 \ 扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。5 X0 b% M" h9 ^
17、flip-chip
1 E Q( B1 a8 w 倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。# c- S: h3 P- @* d9 ~
18、FQFP(finepitchquadflatpackage)& k8 U& \, \/ h6 f
小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。& U A4 T9 h9 ^0 R2 o2 l+ t" K) a, X' |
19、CPAC(globetoppadarraycarrier): Q6 J) t- j# ? G7 l; Q+ @
美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。
: i3 G% E; {. T$ B 20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring). j& A* W4 y, j* t
带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。
0 j9 i$ ]$ J' u$ k! { 在把LSI组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。这种封装在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208左右。; u9 P! H$ l+ m; L! y
21、H-(withheatsink)
" t1 [' l$ b2 J7 r 表示带散热器的标记。例如，HSOP表示带散热器的SOP。
1 O* e; Z0 C0 n0 \3 @& l 22、pingridarray(suRFacemounttype). p. y5 S+ g) y) V5 c- B% L
表面贴装型PGA。通常PGA为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多(250～52，是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
& A, ]0 Y1 c, t# E$ a 23、JLCC(J-leadedchipcarrier)
. R" d6 M( z0 G. M: Y- a J形引脚芯片载体。指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。+ b- o( j4 v) y; M$ v; R, Y' L3 O l
24、LCC(Leadlesschipcarrier)
/ `7 K) ~- G- k- [$ W 无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC用封装，也称为陶瓷QFN或QFN－C(见QFN)。9 z* p$ E* z, I1 c# \7 D
25、LGA(landgridarray)
) d8 \+ R) H9 q ^! i 触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，应用于高速逻辑
) X5 C5 _! k, R+ E/ l( X LSI电路。LGA与QFP相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。
+ }4 a) `$ K0 u4 S, @5 @) D3 ` 26、LOC(leadonchip)
# m. ^, P( B# I( t 芯片上引线封装。LSI封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。
+ d0 |8 b$ W6 h9 K 27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)
* G9 D: \! y* @% k 薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。
w) x& v1 r! n k% R# ~, z& q# y' c 28、L－QUAD2 ~3 l$ g% l6 d1 F! s
陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑 LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。1 X/ f1 X5 [0 {/ d' h
29、MCM(multi-chipmodule)
" _+ n9 s+ \# n. k 多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C和MCM－D三大类。
. U5 k, O+ U8 R4 O1 N/ c MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。
8 X1 c! `: q: N9 v9 _: d MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使7 V+ n& b0 e, I7 m" Q3 B! V
用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。2 Y( Q3 x! b- ~' x4 {3 M
MCM－D是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。
8 M; E# n; n( H% O9 u0 S 布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。% ~9 |1 `6 ^0 z! X% |
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发表于 2020-7-1 10:52
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