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楼主: carrolchan
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VCC、VDD和VSS三种标号的区别(update rev.1)

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该用户从未签到

181#
发表于 2010-8-8 22:08 | 只看该作者
看不了,,,
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-5-22 15:38
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    182#
    发表于 2010-8-11 16:40 | 只看该作者
    支持一下!

    该用户从未签到

    183#
    发表于 2010-8-12 00:50 | 只看该作者
    可惜我還不能看,頂著先

    该用户从未签到

    184#
    发表于 2010-8-12 14:16 | 只看该作者
    谢谢你了!!顶你!!

    该用户从未签到

    185#
    发表于 2010-8-14 11:52 | 只看该作者
    标记,等级不够

    该用户从未签到

    186#
    发表于 2010-8-14 17:50 | 只看该作者
    不错的文章

    该用户从未签到

    187#
    发表于 2010-8-18 12:25 | 只看该作者
    看不了!

    该用户从未签到

    188#
    发表于 2010-8-21 13:52 | 只看该作者
    VCC,  IC内部是晶体管工艺,也就是三极管的集电极C供电,称为VCC,一般模拟电路# ^1 \+ ]& c4 [2 y& _2 _8 Y8 n
    VEE,  IC内部是晶体管工艺,也就是三极管的发射极E接地,称为VEE,一般模拟电路" w: r4 O  ]0 [6 F
    VDD,  IC内部是MOS工艺,也就是MOS管的漏极D供电,称为VDD,一般数字电路% U: b! ?4 n1 N$ Q& a
    VSS   IC内部是MOS工艺,也就是MOS管的源极S接地,称为VSS,一般数字电路
    , r7 K/ T, S; g7 @/ tGND  一般供电回路系统地
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    3.3V

    该用户从未签到

    189#
    发表于 2010-8-21 13:53 | 只看该作者
    VCC,  IC内部是晶体管工艺,也就是三极管的集电极C供电,称为VCC,一般模拟电路6 e7 X. F- a+ v% ?% r" V* G9 t
    VEE,  IC内部是晶体管工艺,也就是三极管的发射极E接地,称为VEE,一般模拟电路/ s. h' R: |' L, R7 {: u
    VDD,  IC内部是MOS工艺,也就是MOS管的漏极D供电,称为VDD,一般数字电路
    ) m- W" |$ F2 I. T/ T- Y  o6 k) b) jVSS   IC内部是MOS工艺,也就是MOS管的源极S接地,称为VSS,一般数字电路 ) V0 n8 d, g& G
    GND  一般供电回路系统地
    7 ]. |4 u% }6 b. y3 dE     一般对外壳接地! O3 B1 y3 H' v: ^( F
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    3.3V

    该用户从未签到

    190#
    发表于 2010-8-23 11:00 | 只看该作者
    謝謝LZ,收藏

    该用户从未签到

    191#
    发表于 2010-8-26 08:37 | 只看该作者
    看一下

    该用户从未签到

    192#
    发表于 2010-9-17 11:35 | 只看该作者
    资质有限,看不了。可惜了

    该用户从未签到

    193#
    发表于 2010-9-17 15:25 | 只看该作者
    我也来回复下,下载了!!!

    该用户从未签到

    194#
    发表于 2010-9-20 14:22 | 只看该作者
    very fashion
    头像被屏蔽

    该用户从未签到

    195#
    发表于 2010-9-20 14:53 | 只看该作者
    提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
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