一个比较奇怪的问题。

hantown · 发表于 2020-5-18 17:21

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如图，设计了一个利用PTC和继电器抗击大电容充电时产生大电流的保护电路，那个三极管Q308 的BE电压为什么总是只有0.8V，达不到6V？按设计应该是6V才对的。

topwon · 发表于 2020-5-19 08:59

本帖最后由 topwon 于 2020-5-19 11:19 编辑

模电的基础知识吧？硅三极管的BE饱和电压就是0.7V左右，如果你要看R100和R101的分压效果（6V），那么就可以在B极上串一个电阻比如1K，这样电阻一头是0.7V，另一边就是6V咯，电阻上流过的电流也就是Ib=（6-0.7）/1K=5.3mA了。。不过这 R100和R101的阻值太大了，6V/300K远远小于预计的基极电阻5.3mA，所以还是无法实现6V分压。R100和R101改成100欧差不多，否则就要增加基极电阻（比如R100=R101=1K，Rb=10K）以减小基极电流，从而减小对分压计算的影响，这样差不多能做到接近6V的分压值。不过，这意义是为何呢？😄

cscscwww · 发表于 2020-5-18 17:37

有点复杂，楼主call版主试试，看他有什么见解

fuxiaohua · 发表于 2020-5-18 19:06

如果Q308导通之后，是否等效为一个电阻与R101并联，那么并联电阻还能为300K吗？

Alniku · 发表于 2020-5-18 20:24

如果正向电压基极-晶体管的发射极达到6伏，则晶体管将简单地燃烧。在大约0.6-0.7伏的低电流下，基极-发射极的电压类似于常规二极管上的电压。

jenkey · 发表于 2020-5-18 21:08

那肯定是0.8V了

hantown · 发表于 2020-5-18 21:50

Alniku 发表于 2020-5-18 20:24
! g8 s6 L6 a5 z6 j: q- D: G如果正向电压基极-晶体管的发射极达到6伏，则晶体管将简单地燃烧。在大约0.6-0.7伏的低电流下，基极-发射极 ...

看8050的规格书，BE极限电压确实是只有5V，但我就奇怪为什么会被锁定在0.8V？反而用GPIO上拉它BE电压反而会更高一些。

jenkey · 发表于 2020-5-19 08:43

R101 相当于对地并联了一个二极管,这个0.8就是是这个二极管的正向压降,所以怎么调都没用

Caleb1992 · 发表于 2020-5-19 09:21

topwon 发表于 2020-5-19 08:598 H1 I3 b3 v' w1 l0 B/ K8 `8 l
模电的基础知识吧？硅三极管的BE饱和电压就是0.7V左右，如果你要看R100和R101的分压效果（6V），那么就可以 ...

正解，这样接管子会直接烧坏吧

topwon · 发表于 2020-5-19 11:13

Caleb1992 发表于 2020-5-19 09:21$ O" E; ^0 _5 c6 G) _
正解，这样接管子会直接烧坏吧

图中接法应该也不会烧管子，因为R100相当于基极限流电阻了，只不过不能按阻值与R101分压计算了。

Alniku · 发表于 2020-5-19 16:53

实际基极电流小于1 mA时，晶体管不会烧毁。晶体管的基极p-n结充当大约0.7-0.8伏的稳压器

布衣 · 发表于 2020-5-20 14:52

一楼版主正解

oneisall · 发表于 2020-5-20 16:01

Q308这块你应该是想设置一个分压偏置电路，在基集串联一个10K左右电阻就行

hantown · 发表于 2020-5-23 16:51

topwon 发表于 2020-5-19 08:598 w$ }+ C2 |; r5 r. z) z. I. {# L/ E
模电的基础知识吧？硅三极管的BE饱和电压就是0.7V左右，如果你要看R100和R101的分压效果（6V），那么就可以 ...

谢谢，版主！本来这个电路是设计来电容延时开启继电器的，如果R100和R101设置得太小将没有意义。

小生en · 发表于 2020-5-30 15:40

那是三极管BE压降啊，把电压钳位在0.8v了。

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