iCMOS新工艺为精密模拟部件增加可靠性

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美国模拟器件公司（ADI）最近发布了一种创新的半导体制造工艺iCMOS，它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和BiCMOS工艺相结合，使客户可以在采用亚微米尺寸工艺的器件上施加高达30V电压，可选的漏极扩展允许工作电压高达50V。作为一种亚微米工艺，iCMOS工艺允许现代数字逻辑电路与高电压模拟电路集成在一起,因此与以前的高压器件相比，iCMOS器件提高了性能，增多了集成功能，降低了功耗并且显著减小了封装尺寸。
% z' j6 u3 P' p1 h　　据了解， iCMOS制造工艺的关键是增加栅极氧化层厚度的制造工艺的开发，从而能够与传统的5V电路混合一起制造具有处理高电压开关的能力。iCMOS工艺使用电容性阵列来实现片内电压的衰减，所以与传统的电阻器阵列信号调理方法相比大大减小了功耗和电路尺寸。本工艺的难点在于需要开发专用的外延和光刻掩模工艺以实现在不同的配置中无缝地共同工作。这对双极型晶体管是一个特别大的挑战，因为双极型晶体管通常会影响周围的器件。iCMOS克服了这个问题，且不是以牺牲器件总体性能为代价的。
　　iCMOS工艺还具有用软件改变输入电压范围或其它参数的能力。利用这种能力，能将一个特定的iCMOS单元电路集成到各种应用中，从而大大了减少标准单元的库存量并且简化产品设计。
8 A0 W. \( q9 M+ o( }; l　　ADI已经采用iCMOS工艺推出一系列产品,见所附表格。
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iCMOS制造工艺的关键是增加栅极氧化层厚度的制造工艺的开发，从而能够与传统的5V电路混合一起制造具有处理高电压开关的能力。