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摘要:随着无线通信的发展,人们对于通信技术的要求不断提高,希望无论在何7 O1 I8 O+ x" n" ~( i" d9 u
时何地都能够与任何人进行包括语音通话、数据交换和图像传输的通信。/ F2 J- j/ S3 S( ~3 s' J& N
功率放大器是无线发射器中必不可少的组成部分,也是整个发射机中耗能最- c3 q7 p% ?- ^& {( L8 g- s
多的部件,输出功率-般比较大。 射频功率放大器的主要作用就是放大射频信号,
+ c8 i: M- H' t; p以输出大功率为目的。射频信号功率的放大实质上是在输入射频信号的控制下将4 v+ f3 g. o1 L: c W
电源直流功率转换为高频功率。相对于其它无线收发组件,大功率、高线性、高
( j8 C6 v% w+ W+ q效率是功率放大器的基本设计要求。9 {/ Y1 n0 V1 P& f' g
本文介绍了基于TSMC 0.18um CMOS工艺的功率放大器的设计,给出了仿真
( p2 N: r2 c6 ^/ _& `& ?结果和版图设计。该电路采用两级放大结构,单端输入单端输出。第- -级采用共
* E5 z) S, I t源共栅放大电路,第二级采用差分放大电路,输出由一个平衡-不平衡电路转化为
9 C0 {! Y1 ~3 a1 T单端输出。在3.3v的供电电压下,最大输出功率为16.25dBm,增益为20dB,输
0 \3 O# Z- E0 B入1dB压缩点位13dBm,带宽为1GHz-2GHz,满足设计指标要求。9 ~, O) P' i T+ q4 o+ Q" F3 T1 h
关键词: CMOS;功率放大器;射频集成电路
0 ^4 W) [' c. O分类号: TN722.7
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