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摘要:随着无线通信的发展,人们对于通信技术的要求不断提高,希望无论在何
( v1 s* a: V9 g1 {. U时何地都能够与任何人进行包括语音通话、数据交换和图像传输的通信。
! g& m+ I. b- q: ~& ^" b功率放大器是无线发射器中必不可少的组成部分,也是整个发射机中耗能最
0 e6 P1 ]9 H/ X+ C多的部件,输出功率-般比较大。 射频功率放大器的主要作用就是放大射频信号,
7 |$ [0 ~6 P" O2 M6 _7 O8 |7 ~) m/ s以输出大功率为目的。射频信号功率的放大实质上是在输入射频信号的控制下将( V: W$ ^5 N2 g0 _3 y( ?9 n2 W. @
电源直流功率转换为高频功率。相对于其它无线收发组件,大功率、高线性、高. c; O, n9 K# F6 J; W
效率是功率放大器的基本设计要求。
" p2 f) l+ I1 q本文介绍了基于TSMC 0.18um CMOS工艺的功率放大器的设计,给出了仿真& t+ O; f# x9 K9 `
结果和版图设计。该电路采用两级放大结构,单端输入单端输出。第- -级采用共6 B1 j. s% s' V% U0 g
源共栅放大电路,第二级采用差分放大电路,输出由一个平衡-不平衡电路转化为4 M- r, ~" }6 ^
单端输出。在3.3v的供电电压下,最大输出功率为16.25dBm,增益为20dB,输
7 E+ U# D6 r; q9 f j3 i入1dB压缩点位13dBm,带宽为1GHz-2GHz,满足设计指标要求。1 x# Q. n& p$ N& O$ q1 z% z- a
关键词: CMOS;功率放大器;射频集成电路, P2 |2 Y; b: V" e g( d# E/ Y
分类号: TN722.7
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