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摘要:随着无线通信的发展,人们对于通信技术的要求不断提高,希望无论在何# s7 w7 g7 D- [; C* ~
时何地都能够与任何人进行包括语音通话、数据交换和图像传输的通信。/ f6 J5 [" u8 |8 d- ^
功率放大器是无线发射器中必不可少的组成部分,也是整个发射机中耗能最
- l$ N1 U$ s5 ? e- A多的部件,输出功率-般比较大。 射频功率放大器的主要作用就是放大射频信号,- [1 X- v5 K* [% {
以输出大功率为目的。射频信号功率的放大实质上是在输入射频信号的控制下将
9 V' L5 y, `, Q6 z" V电源直流功率转换为高频功率。相对于其它无线收发组件,大功率、高线性、高6 M+ D" Y1 u4 V7 [4 T3 I! @* H8 B
效率是功率放大器的基本设计要求。) i" r3 l' x7 j$ _
本文介绍了基于TSMC 0.18um CMOS工艺的功率放大器的设计,给出了仿真
7 }$ ?+ |) E5 N2 k% }结果和版图设计。该电路采用两级放大结构,单端输入单端输出。第- -级采用共
* o) j" B" Z ?8 I* i6 h源共栅放大电路,第二级采用差分放大电路,输出由一个平衡-不平衡电路转化为0 n9 D I! E$ o5 p7 p& ^
单端输出。在3.3v的供电电压下,最大输出功率为16.25dBm,增益为20dB,输
: t* S2 q# ?& \% P/ D入1dB压缩点位13dBm,带宽为1GHz-2GHz,满足设计指标要求。
2 v0 n2 n* r, H, Y! x! ~3 r1 P关键词: CMOS;功率放大器;射频集成电路
/ A) }7 V% y6 E. p1 t, C分类号: TN722.7
% O" K t: }7 k8 [% F8 X! @. c% e+ w+ i. o
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