TA的每日心情 | 怒
2019-11-26 15:20 |
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对于微波大功率有源器件来说，其输入输出阻抗是-一个关键的参数，且不易测量。而在设
/ u/ q: v7 t% u) C& v计中，没有这些参数，设计将无从下手。目前微波大功率的有源器件大多采用金属氧化物半导
0 @5 g7 a) @+ _0 k2 z2 g9 [0 T: T体场效应晶体管(L DMOSFET-Lateral Diffused metallic oxide semiconductor field effect X; s" a C. R, w; _
transistor)! G$ Y, J5 s I
因此本文以LDMOS幼率管的仿真为例探讨微波有源器件仿真。
3 b, m* C2 h+ h) t- p6 V' Q由于大家所公认的大功率器件仿真的难度,, E7 F. y, f7 X( F8 U. R% M
特别是在器件模型建立方面的难度，
7 c. Z9 U1 M# \9 Q$ W使得这一
. n2 i+ C6 r' h6 @+ {- r! l4 _工作较其他电路如小信号电路仿真做的晚，且精度也较小信号电路低。目前公司内部在这方面
4 x+ Q0 g2 j/ ]6 J. K所作的工作也相对较少。
1 Z/ C6 h7 ~! @$ N1 r- V }随着技术的发展，目前的很多仿真软件已经做的很完善，如& Y6 h9 p! p3 A. E6 H! e
ADS它可以提供各种数字和4 j3 x% O P: y6 v$ B( A# r
模拟系统及电路的仿真平台，用户的主要任务就是给目标器件建模和搭建电路。而目前我们使.
, R# k$ u' t6 k, ], \2 E用的主流LDMOS器 件即Motorola 的大部分 器件均提供ADS仿 真的模型，我们只要直接使用，这
, d/ j5 B7 E0 t' H! T" Q' j给我们的仿真工作带来了极大的方便，极大的减小了工作量，并提高了准确度。 f0 F8 B m7 l
本文主要探讨使用ADS2002仿真计算 大功率LDMOS器件的工作点、 输入输出阻抗及其对应
% P' g4 E5 F) T, L# |' I; g1 V( o的线性指标、电流、增益等电参数。 ]8 n! x! G z2 A+ p
P& Q, H6 a/ p7 t7 |) c8 u- d5 S. V. Y
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发表于 2020-3-19 11:24
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