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芯片简介：VIN=3V~6V的Buck型同步DC-DC芯片，高边管有boot电源，采用国内0.5um BCD工艺，使用5V低压mos/12V dmos器件
4 ?- l% M2 g4 J5 @ T! s, |失效条件：VIN=4V时，一切正常；VIN=5V时，反复上电、反复关断再开启会损坏芯片。3 l3 b) R4 j! w5 U3 q
+ _2 P0 f, U+ g; P1 r; [0 `
8 S1 r9 J* m+ |5 C; W' X& W失效芯片的表现：1）功能正常但空载电流变大到几十上百mA；2）功能正常但关断电流变大到几十mA；3）功能不正常，无输出；4）VIN对地短路。每颗损坏的芯片表现不一样，是前面1~4项的一条或两条。9 }: r+ s; q7 c' e ?/ Q3 z$ {6 ], p
0 A2 q7 L* Y' ~ ~. P2 i- G% a7 U, A* n0 v
其它，部分损坏芯片VIN ESD烧毁，但是ESD实验可以过4kV，Latch up测试也OK。EMMI实验可以看到VIN ESD器件漏电，其它部位不明显。
9 X( ~- W! y/ |6 dSW开关信号上冲下冲比较大，是功率管驱动能力太强了吗？9 u. u; N3 Z/ L* H. |. S- D M
请各位有碰到过类似问题的大侠指点一下可能出问题的地方，或者测试分析手段。- N9 `5 X: }9 b1 g3 @
. T4 D& u1 f& M8 c! Z6 h. |! W: L3 F* W
在此谢过了！
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发表于 2020-3-18 15:53
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