ARM:SC2410与SDRAM:k4s561632c之间的数据信号仿真问题

Iphone

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有哪位朋友用三星的ARM板设计过？——CPU:SC2410，SDRAM:k4s561632c，你们设计的CPU和SDRAM之间的时钟、数据线等有没有加电阻呢？
9 |' y" N4 T8 b4 }我设计的这个PCB，没有端接电阻，仿真时(133MHz)，时钟信号波形质量和CPU写的时候信号波形质量度还好，但是CPU读的时候信号波形质量就很差了（跨越门限），如图；
7 t2 a; w6 ^: b; g$ _/ {$ p加了端接电阻之后仿真，波形就好多了，但是我又不想加电阻，占空间太大！
各位设计的时候CPU和SDRAM之间的时钟、数据线等有没有加端接电阻呢？

袁荣盛

这过冲忒大了点

Iphone

呵呵，就是
我是想加端接电阻，不过我看前人做的都没有加电阻，不知道有没有朋友设计过这款ARM呢？

袁荣盛

这种事情千万别参考别人的端接
要以自己的实际情况为准
5 v; Y9 `* T: Z% S' u0 ^- L" j有几种情况可能导致不一致，消除过冲的端接不要借鉴

) s: u3 d) M& H% X) _首先叠层不一样，线宽不一样，导致阻抗不一样
* _& I3 o8 n7 {; F' J其次线长不一致
) w: a) K7 j( B0 p; j8 k: W7 I再者，可能驱动源的驱动能力选择不一样
种种情况表明端接要联系实际去解决
不要参考

Iphone

这种事情千万别参考别人的端接
要以自己的实际情况为准
8 Y% B5 P1 ~' V1 m" Y有几种情况可能导致不一致，消除过冲的端接不要借 ...
袁荣盛 发表于 2010-2-4 12:43

: h1 Z6 ^8 b" Q% t
  @: P' T* U0 a    呵呵，谢谢您的建议！我理解您说的！
5 K2 t" \# s+ w, v. G在读状态的时候，SDRAM的输出阻抗只有7.8ohms左右，按理说需要端接电阻（当然大小要视您说的实际情况来定）来和传输线匹配，以消除反射；
我只是很奇怪为什么前人设计的都没有加端接电阻呢？

wzh6328

线长在2inch以下都可以不加，好像说不算做传输线

honejing

不想加端接，就要調你的特性阻抗，Z0儘可能小些，过冲就不會那麼大。

iversn

学习一下,我也想设计ARM板,请问一下仿真是如何做的，用什么软件，要哪些模型，谢谢！

liuzhenyaEDA

我也想这个问题呢

cindy0924

我们的设计里,SDRAM没加过端接.我们一直做的三星的AP.

cindy0924

回复 wzh6328 的帖子
" Z- [7 ]8 H/ u! z; |" B2 r
1 o) Q( D, l1 p) [* L/ n4 D4 `标准参考不是应该上升时间1NS,走线长度在1INCH以内.不能单纯讲长度的吧

chuxuezheyao

楼主，问题怎么解决的？
$ `* x$ [# Z- a9 q, w+ l/ Z3 m我也有这样的问题，过冲没有你那么大（CPU：LPC3250，K4S561632C），但也超越门限值了，
通过仿真发现，要匹配至少47欧才能达到要求，而且要靠近SDRAM放置！
; j: F" }9 M) n

jang2lin

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