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[AD 10][2层]LM3886高保真功放(LM3886+5532)原理图和PCB文件

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发表于 2020-2-18 19:40 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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[AD 10][2层]LM3886高保真功放(LM3886+5532)原理图和PCB文件6 c: L' }; h  k8 X6 o3 y3 ~( J
$ h; n' p- l9 m4 `
文件描述
1 |+ V5 C7 y! F! p6 h9 e0 N3 R1. 作品用途:LM3886高保真功放
0 S9 k4 p, \% |2. 软件版本:AD 102 I& r7 m8 x) T3 P, `
3. 层数:2层板
3 |1 j+ @3 m2 F  {" z* `4. 用到的主要芯片:LM3886+5532
1 D: M# V( y: a* Q3 L( C- r  I. r5. PCB尺寸:138*80 mm
+ A# A/ \+ [0 T
4 ]$ ?8 I7 R- w+ J作品截图如下:4 k# b# h% f* q
顶层截图:" I2 E) O* u2 y4 C2 I2 z/ ?; O
  
4 W' @7 u, v8 k+ X6 D$ R2 D
) R3 t6 N( W$ {( N3 f9 z底层截图:9 o: R* g; `$ J( s/ S$ e3 h
2 `* T+ e' x# a& L! L$ A
& h, \9 S$ U6 N& _% y$ o+ o2 M
全层截图:3 \/ i" {; W2 F6 L( R
6 u, h( y( \, L& y. n/ m7 q) ?' J
叠层信息截图如下:# f1 h0 v4 A' Z& l2 ^. z- A

  ^, Q8 q$ w5 W1 U: l$ b  u; O0 JBOM:: a+ v9 w% p& h. b* r, i% i0 H! }4 p
Comment(属性)Designator(位号)Footprint(封装)Quantity(数量)
220pC1, Ce1, Cg1, Cge1电容0.2
4
2200pC2, Ce2电容0.2
2
474C3, C4, Ce3, Ce4电容0.2
4
2.2ufCBB1, CBBE1电容0.3(cbb)
2
50pCg2, Cge2电容0.2
2
0.1Cg3, Cge3电容0.2
2
10ufDCg1, DCge1电解电容(20/公制5.1)大盘
2
100ufDCg2, DCg3, DCg4, DCge2, DCge3, DCge4, yc3, yc4电解电容(26)/公制6.6)大盘
8
5532IC1, ICe1DIP8a
2
LM3886IC2, ICe2LM3886(TO220/11)
2
三线端子JX1, JX2端子3线(4mm)
2
2线端子JX3, JX4端子2线(4mm)
2
L, R端子2线(4mm)
2
电感Lg1, Lge1电感(扬声器)2
2
100KR1, R3, Re1, Re3电阻1/16W(大盘)
4
47kR2, R-fk, Re2, Re-fk电阻1/16W(大盘)
4
1kR4, R10, Re4, Re10, Rg1, Rg2, Rge1, Rge2电阻1/16W(大盘)
8
1.8kR5, R6, Re5, Re6电阻1/16W(大盘)
4
10kR7, Re7电阻1/16W(大盘)
2
8.2kR8, R9, Re8, Re9电阻1/16W(大盘)
4
0.027rg6, rge6电阻1W
2
20kRg3, Rg4, Rge3, Rge4电阻1/16W(大盘)
4
30kRg5, Rge5电阻1/16W(大盘)
2
10kWR电位器(0.1/2)
1
47kWR(D), WR(G), WR单电位器(0.1/2)
3
1000ufyc1, yc2电解电容(40/公制10.2))大盘
2
104ycc1, ycc2, ycc3, ycc4电容0.2
4
7815yw+TO220(123)A型30散热片
1
7915yw-TO220(123)A型30散热片
1
附件:2 }7 u3 g' K7 n6 {
原理图和PCB文件如下:3 C/ d0 u' ]: n
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发表于 2020-11-11 16:16 | 只看该作者
学习学习学习* O% o; y( y( Z; }) p0 [

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