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本帖最后由 lzhcqu 于 2009-11-28 21:31 编辑 5 n8 F6 @+ e* Z0 G. v a
! P5 L: E3 L; D7 q
做一个六层板
9 }) U+ h, j* k1 ]( u% F4 \主芯片是DM642: P( l% U8 U5 }7 C
在做SDRAM信号线仿真8 Q, M9 r0 n1 C+ ?- k' P- O8 Y
8 z# q7 U1 N1 x8 W. f+ b* C# S R
看到大家做DM642电阻源端匹配的时候一般用33欧姆的电阻
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2 M- k" t) ^8 K" O我驱动端到匹配电阻的传输线程度为560mil,阻抗为73欧姆5 s! L% B, S$ R) D; n) h* U
匹配电阻到接收端SDRAM的传输线程度为1200mil,阻抗为66欧姆
2 G2 z% [: I2 L) H( m: c5 ~4 J |
' |1 }+ { _* o# q- ~, z: V/ C Q但是用33欧姆的匹配电阻做仿真的时候波形的过冲差不多有1V
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6 F) x, B7 h/ Z' Q6 o X8 A6 C改为68欧姆的匹配电阻做仿真,波形大为改善* w' p9 Y- M" X) i) T& v& @, C& M# z
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请问我应该用哪一个组织的电阻呢?+ f- o7 _9 H1 g
用68欧姆的电阻波形好点,但是为什么别人做匹配都用33欧姆的呢?+ ^; j+ u0 e; @1 \4 L7 V% S z
9 f" L# c8 o8 v; f; \
还有我的驱动端DM642到匹配电阻的距离这么长,是不是起不到匹配的作用呀?. { H5 p& d, }/ d0 P
请大家不吝赐教,我都快急死了
' |% y" ~" e' I拜托了! |
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