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本帖最后由 lzhcqu 于 2009-11-28 21:31 编辑
: ~' E6 N5 `# P# y" }8 D( U1 j8 u% {8 [$ V8 j
做一个六层板7 B" H# d% x9 E1 a. e
主芯片是DM642( b! Q0 Y2 e& B/ [
在做SDRAM信号线仿真9 r7 ], e/ c5 J- e q
& O, n; ]+ k/ F' B: ^
看到大家做DM642电阻源端匹配的时候一般用33欧姆的电阻
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4 l0 K+ A- Q r2 T我驱动端到匹配电阻的传输线程度为560mil,阻抗为73欧姆9 y9 s' }3 P' G
匹配电阻到接收端SDRAM的传输线程度为1200mil,阻抗为66欧姆. f* l7 V1 S/ w9 S) O R9 ]: D
$ H3 u$ h* O0 s* Q. c: p但是用33欧姆的匹配电阻做仿真的时候波形的过冲差不多有1V
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改为68欧姆的匹配电阻做仿真,波形大为改善0 v& n8 C% ~! t: K
, Q: g& M+ `' K: D O请问我应该用哪一个组织的电阻呢?" j9 z0 `; V$ e# ?, j: d/ L+ K
用68欧姆的电阻波形好点,但是为什么别人做匹配都用33欧姆的呢?9 \* Q6 k& X- l! }' } i5 h
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还有我的驱动端DM642到匹配电阻的距离这么长,是不是起不到匹配的作用呀?
: B0 r- C/ G* W; C2 y. D0 B9 d请大家不吝赐教,我都快急死了8 y7 k4 V; f0 _; I, Y) x
拜托了! |
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