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作品名:[AD 10][2层]紧凑型半桥增强隔离式栅极驱动参考设计(SN6505BDBVR+UCC21520DW)原理图和PCB源文件$ ]$ @6 p$ Y0 R. M$ n
: ?* y. h4 s7 q文件描述
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1. 作品用途:紧凑型半桥增强隔离式栅极驱动参考设计. t. F7 j( |$ T- X* a
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2. 软件版本:AD 10
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3. 层数:2层板
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4. 用到的主要芯片:SN6505BDBVR+UCC21520DW
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3 V% T) _' n9 f: }5. PCB尺寸:37.1mm*37mm7 l* A6 j8 Q: s# P, ~( l& n
2 V( T3 O/ s- A# Z4 O# R: o9 @3 O
; }0 O0 Y8 @6 s4 O( {1 w8 q作品截图如下:
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叠层信息截图如下:
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6 Z, K+ p) p5 ]8 I% F
BOM:& |& i5 ^% ~9 S# Q5 b# a
Comment(属性) | Designator(位号) | Footprint(封装) | Quantity(数量) | CGA5L3X7T2E224K160AE | C1, C2 | 1206 | 2 | 885012106018 | C3 | 0603 | 1 | C0603X104K3RACTU | C4 | 0603 | 1 | 06035A220JAT2A | C5, C6 | 0603 | 2 | GRM21BZ71E106KE15L | C7, C9 | 0805_HV | 2 | 8.850122061e+011 | C8 | 0603 | 1 | UFM15PL-TP | D1 | SOD-123FL | 1 | 1N5819HW-7-F | D2, D3 | SOD-123 | 2 | Fiducial | FID1, FID2 | Fiducial10-20 | 2 | 61300421021 | J1 | Wurth_61300421021 | 1 | TSW-102-08-G-S-RA | J2 | TSW-102-08-G-S-RA | 1 | TSW-103-08-G-S-RA | J3 | TSW-103-08-G-S-RA | 1 | CRCW0603100RFKEA | R1, R2 | 0603 | 2 | CRCW08050000Z0EA | R3, R5 | 0805_HV | 2 | RT0603BRD074K75L | R4 | 0603 | 1 | CRCW06030000Z0EA | R6, R7 | 0603 | 2 | 750342879 | T1 | WURTH_750342879 | 1 | UCC21520DW | U1 | DW0016A_N | 1 | SN6505BDBVR | U2 | DBV0006A_N | 1 | 7 c% d% u. c" e6 k
附件:
' A f% M4 z( i. @& Y5 v. |$ V
原理图和PCB源文件如下:$ F( S; B1 K S8 \
% j$ Z, y& Z" c: ]. J2 z
8 V! a- [- d) R5 k
- w5 f! }7 w. A; { |
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