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一文读懂静电击穿的现象及原理

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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2020-1-10 09:35 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    一文读懂静电击穿的现象及原理
    / T' {/ \) x- d# M) _1 T) s$ D

    : _8 n  c4 F2 G+ T: {% n

    ) P- P# g7 k& U8 {       LED死灯有很多种原因,但由于LED本身抗静电能力弱,因此,大部分死灯都是由于静电击穿造成的。LED内部的PN结在应用到电子产品的制造、组装筛选、测试、包装、储运及安装使用等环节,难免不受静电感应影响而产生感应电荷。! c& M: k  q0 E8 ?% X( p, X

    5 h4 f- |$ e' ?. Z1 h' e* t5 p  若电荷得不到及时释放,将在两个电极上形成的较高电位差,当电荷能量达到LED的承受极限值(这个就是LED抗静电指标值啦),电荷将会在瞬间释放。# ~8 U% ?: z9 k& ]) O

    3 L1 L: R; s3 K) d9 q$ N  在极短的瞬间(纳秒级)对LED芯片的两个电极之间进行放电,瞬间将在两个电极之间(阻值最小的地方,往往是电极周围)的导电层、发光层等芯片内部物质产生局部的高温,温度高达1400℃,这种极端高温下将两电极之间的材料层熔融,熔成一个小洞,从而造成各类漏电、死灯、变暗的异常现象。  V, F7 u* [/ @1 o

    0 ~1 X3 }+ h  U3 D/ |  不同企业、不同工艺、不同衬底材质、不同设计制造的LED芯片抗静电也很不相同,当前市场抗静电高度更是千差万别、鱼目混珠。
    7 o5 ]3 X/ ]# O/ b4 O, q: o* x. ^' ^$ g/ h
      LED的抗静电高低与LED的封装无关、取决于芯片本身。有些企业采取加接齐纳二极管的来保护,这是在较早期采用的一个补救方法,现在,LED芯片工艺不断进步,这个方法逐渐显得成本高、可操作性减弱。8 B4 E9 e& Q! _7 l/ B0 S3 o
    - Z& V" d" z0 R- i. i* U; j" A! K
      企业一旦遇到LED死灯漏电暗亮等事故,想到的往往是加强自己生产车间静电管理,如接地、铺设防静电台垫、离子风机等等,但这并不是一个根治的办法,静电是无处不在,可以说是‘躲过了初一躲不了十五'.因为所用的LED抗静电指标就低,类似于一个健康缺陷的新生儿后天再医治都是难以根治的。3 x1 b/ r( @, h8 G

    # z0 P8 y6 U& E) B! a8 @  企业选用抗静电指标较高的LED(芯片),将能彻底解决你的静电带来LED的漏电、死灯等品质事故,因为抗静电高的LED,它能适应各种环境,例如LED抗静电在2000V以上,它一般都能承受我们普通的环境下的静电,达到3000V以上的LED更是能在不刻意加强静电管控的环境下,永放光芒。
    . c% m( o) u( ?% l! n8 j  d0 o; m* T# }. [3 D! l0 C5 @

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2020-1-11 22:39 | 只看该作者
    读懂了,哈哈
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