TA的每日心情 | 开心
2019-11-20 15:05 |
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晶体管模型
5 g4 q! h4 C) w2 j2 A# {) B' w射频集成电路主要工艺9 N, Z8 Y# Y3 ]* g4 v3 X$ o, P
砷化钾 GaAs——最高频率达到100~50GHz. B! t9 o5 D1 y5 |: R: w% b$ g
超高速微电子学和光电子学
$ S1 y, z3 x. UCMOS ——噪声低、线性好、与数字集成电路兼容3GHz以上7 ^+ s. `; Q' T7 `* v) e' D8 B5 e
描述晶体管的两种模型7 y/ ~* h: V8 N& N$ R ~$ ^
6 y i- Y4 l8 u; k% B9 p4 R7 N& h
6 z1 a" B5 o ^" H M- G! {1. 物理模型——等效电路模型 M. z1 u5 U' i# j* j5 W f, I
3 |4 n; e" X; V特点：模型中的每个参数均对应一定的物理意义( r' L. \+ |( p9 ~
m8 x9 s# D4 g$ Z1 _" z, {9 W适用的频率范围较宽
! j; x* z+ G% t; b P
- l' E. G* P! ?8 t' L: r6 z& i; V: `! \举例：混合∏型模型& H: r9 o0 I; t& k \
2. 网络模型
+ B( ] k$ }3 [
3 m8 S' N1 s/ G1 N特点：把晶体管视为一个双端口黑盒子，分析其端口参数+ p, T- u9 o c6 P+ X
K/ u1 T- M% ^! `9 @: ~
适用于特定频率、线性参数* v; k' N7 |# l) F W
2 u9 w0 Q/ Q9 a6 B0 S举例：S参数
+ w. n- ]5 P3 Z3 y
/ n8 Q1 Y% S8 B' l7 Z注意：应用不同的模型，分析设计低噪放的方法不同
1 a& l+ f& k1 l4 x: P, t+ |/ i$ @% E% _" p; e9 Z
本章重点——用晶体管的混合 ∏ 型模型分析、设计低噪放
" n9 B: S& x5 V) `& J, H/ h1 f6 @7 c5 L
% V" n: j, R9 u6 J$ f
6 [+ r2 }) b; \ S( K( S4 n
% m7 f8 `. a) ]2 p
5 q, P( L" L t$ q( Q( x' ?. D; H A9 P& O
! X, } e/ R* }3 _ |
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发表于 2019-12-31 10:34
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