TA的每日心情 | 开心
2019-11-20 15:05 |
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晶体管模型
0 }: T& {7 m3 u+ ]) q1 b5 R: G射频集成电路主要工艺
) F2 x' B; O+ Y w6 v砷化钾 GaAs——最高频率达到100~50GHz; T) Z. s$ k- `0 |/ k
超高速微电子学和光电子学
0 B; \' o0 |0 J% d" m+ F! z7 K: xCMOS ——噪声低、线性好、与数字集成电路兼容3GHz以上
# {0 @9 t* {; A k% O' _描述晶体管的两种模型 o* ]4 o' x6 T! n
1 H5 [: n% z9 U) d+ I' l! i7 \8 m8 D. r: D m: p( K9 c7 }
1. 物理模型——等效电路模型' m/ n2 I/ A7 H" e6 r
W( Y8 D; g1 Q3 x d
特点：模型中的每个参数均对应一定的物理意义" k4 S" g1 [7 _: f# x
3 f0 K9 e8 r, i* m, X适用的频率范围较宽. L5 N: D" [ a: M3 x
4 M" b2 J" c8 M# j举例：混合∏型模型
6 U7 D1 i. R9 ?( z( a2. 网络模型- y7 m1 y/ U: H4 f: U! } P' d/ J
7 I* J9 C7 H# o, X特点：把晶体管视为一个双端口黑盒子，分析其端口参数
% G3 N6 ~, e( |7 L+ X) o2 M5 `$ G3 |7 E& {2 ^ o" f% w" J' F
适用于特定频率、线性参数
- r1 z! O# u/ C, @- Z! y3 e6 C$ k
举例：S参数
0 d' b8 Q4 l7 f4 n; A' O7 c
, Z- o: m$ E& [& @+ x$ D$ z注意：应用不同的模型，分析设计低噪放的方法不同
0 Y' j6 D0 ?( F k q3 F* h
1 x" e8 t7 d' y6 o本章重点——用晶体管的混合 ∏ 型模型分析、设计低噪放' Q% ^- L2 u8 z* b
# Y4 q) b& l* @8 t0 n- q* j0 }2 {" K; O
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, H7 \0 s. y. r- x, b; h+ e5 z. P
! m4 O5 d" |5 E$ j3 z# M# } |
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发表于 2019-12-31 10:34
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