TA的每日心情 | 开心
2019-11-20 15:05 |
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晶体管模型4 h6 x( {! c1 o& c% T
射频集成电路主要工艺
# S. E3 L, K& n3 a) ~, D! X砷化钾 GaAs——最高频率达到100~50GHz5 o+ t. z- H( S5 _
超高速微电子学和光电子学7 w# m. R5 [' q( _% A1 y; h
CMOS ——噪声低、线性好、与数字集成电路兼容3GHz以上
0 G7 w H4 w, x# y9 q ]描述晶体管的两种模型
1 n# Y9 [, F$ N7 R& C4 ]& N7 w. J6 L' r) g, {" J% M4 t, H. ~+ r
% J6 ]* m" g! b4 a6 [5 Y1. 物理模型——等效电路模型" f; z& \ ~" @# Q1 Q
! f9 A# G' \- n) r5 g `! S3 s( T特点：模型中的每个参数均对应一定的物理意义
" Q, i( R7 F3 J; r0 L0 F( b# R1 Q3 T% w
适用的频率范围较宽
8 i7 T. B' w% r
7 i$ n# j: v& ]$ b, ?2 F: J举例：混合∏型模型
3 A3 D. k6 t/ e; L1 P1 [2. 网络模型
$ }1 V9 m- @- ?6 {! [
. m9 k0 ?: E: ?! `0 j% m0 i特点：把晶体管视为一个双端口黑盒子，分析其端口参数
, r% ~# |2 C) Q0 Y+ B. O% S" q0 _5 ` P' d
适用于特定频率、线性参数$ S, X- R7 Y1 M
5 j8 N, _+ i! q6 G举例：S参数2 S6 p& T% R* _. ?* q2 ?% f
! {: C" i* V: G3 `6 m7 u
注意：应用不同的模型，分析设计低噪放的方法不同
$ _# x. \8 h- y0 K k0 X4 e
! i" `: P9 f) I1 N本章重点——用晶体管的混合 ∏ 型模型分析、设计低噪放. A! k' X# n; w* Z/ d
& A$ m1 k W$ P( s' t/ w3 a- p
$ c) Q {* b1 |* s
' Z8 L* g8 r. t( f8 K: c9 H4 U
1 k: x' F: r3 G, g3 t! A$ S6 W7 B0 J6 P( \
5 G' K' E% w- j. {$ ^7 H
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发表于 2019-12-31 10:34
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