制造商
% ^$ z; P) n! E- | g6 Q8 M& W | DiodesIncorporated+ A- A% W6 B2 a3 f0 i7 n
|
产品种类
" y( ]& t% a% Y3 C | 双极晶体管-预偏置
2 Y$ f1 }% W6 `+ Y |
RoHS, a3 M/ L ?0 I3 O* r- O, j
| 符合3 k+ B" m* d: z! \* @/ E
|
配置: x3 R2 i! n& A5 i8 S
| Single
' K7 Q1 J, k6 Y |
晶体管极性
! e. V0 T4 N/ x/ ?' a/ B | PNP5 B" ?* ~# g. Z. L6 ^2 @+ R
|
典型输入电阻器7 c: E. s0 y Z. L6 d: e6 f" z
| 3.3kOhms2 m- f0 t6 C/ }9 h5 n! s! ]+ L; }
|
典型电阻器比率7 V! P1 g. k* c" u
| 0.33& g- ?1 n9 n+ }0 ^% S
|
安装风格
; v. D5 n: [ {2 b W | SMD/SMT
4 ?; G/ r8 v9 L s' O |
封装/箱体' n2 J( g4 J5 D3 s4 J) _; h5 D. M6 S
| SOT-23-3
, @: q5 ? C: m3 U( h8 J |
直流集电极/BaseGainhfeMin" P3 F1 ^. m5 |4 p, F! R$ S1 I
| 56
; G/ C1 H; D2 {1 J9 I |
集电极—发射极最大电压VCEO
3 L& _% Z% {6 ~2 A- T5 t | 40V
' g: P/ _; U" i5 z |
集电极连续电流
" R- f4 y2 F9 o; D" X4 V | 500mA6 E5 B" C. p& `! k8 c6 _, m! N/ j
|
峰值直流集电极电流
" Q$ q4 L B" Z2 f | 500mA0 M1 R% v8 y; p# L7 D
|
最小工作温度
' {- Y! |. Q4 F- S | -55C
4 ~0 A; Y S" X |
最大工作温度8 ]; r, h0 Y$ D% l G
| +150C
. `; ?* |3 H6 y( M# E |
系列
& r2 {( i u) U: E) J' U) k | DDTB133
/ N, m( b! s F6 q; M! _ |
封装
( ~* }, H& Z$ L8 p2 `0 b, @: x | Reel+ }: {! e; ~8 m) N% f$ G
|
高度
, g$ s& _! M6 k9 Y+ g. o | 1mm
- Q w/ C) G- G* e0 K |
长度
* M. G7 _+ w( _8 c | 3.05mm: ~! Z) f4 @- d! _) x9 H9 F
|
宽度; W" {1 r! q8 k1 y
| 1.4mm1 {0 L; ?7 I7 p- n8 M9 Q' Y) z+ [
|
商标' [( p( E3 o5 f% o4 n6 A( t
| DiodesIncorporated
' K) h+ W( ^9 O; s% v3 H |
产品类型
1 W! P" }2 [* K# h4 |9 T; | | BJTs-BipolarTransistors-Pre-Biased* k. t( t4 K6 [: S1 E5 u
|
工厂包装数量
( u" [: H( T3 `) W- r; J- v | 3000* s/ R/ g: Z0 f9 j! g4 V$ W
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子类别
$ g* Z# F+ N% L3 L1 | | Transistors i# I& Y& Z$ K$ l
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单位重量
4 I/ H; H/ s: d& R/ T- d3 ~: \ | 8mg+ U4 r% g$ j4 d$ p% i# d
|